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(a) 자성 나노 입자를 제공하는 단계; (b) 상기 자성 나노 입자에 직류 자기장을 인가하는 단계; 및(c) 상기 자성 나노 입자에 교류 자기장을 인가하는 단계를 포함하고,인가하는 직류 자기장의 세기, 교류 자기장의 주파수, 교류 자기장의 세기, 교류 자기장의 인가 펄스 폭(pulse width) 중 적어도 어느 하나를 조절하여, 자성 나노 입자의 온도 변화속도(dT/dt)를 적어도 10(K/s)보다 크게 만드는, 자성 나노 입자의 발열 방법
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제1항에 있어서,(b) 단계에서 자성 나노 입자가 공명 주파수를 가지도록 직류 자기장을 인가하고, (c) 단계에서 자성 나노 입자의 공명 주파수와 동일한 주파수의 교류 자기장을 인가하여, 자성 나노 입자의 온도 변화속도(dT/dt)가 최대치를 나타내도록 하는, 자성 나노 입자의 발열 방법
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제1항에 있어서,인가하는 직류 자기장의 세기는 2,000 Oe보다 적은(0 Oe 초과), 자성 나노 입자의 발열 방법
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제1항에 있어서,인가하는 교류 자기장의 주파수는 500 MHz 내지 6 GHz인, 자성 나노 입자의 발열 방법
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제1항에 있어서,교류 자기장의 인가 펄스 폭(pulse width)은 0
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제1항에 있어서,인가하는 교류 자기장의 세기는 10 Oe보다 적은(0 Oe 초과), 자성 나노 입자의 발열 방법
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제2항에 있어서,교류 자기장의 주파수를 증가시켜 자성 나노 입자의 온도 변화속도(dT/dt)의 최대치를 증가시키는, 자성 나노 입자의 발열 방법
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제2항에 있어서,교류 자기장의 세기를 증가시켜 자성 나노 입자의 온도 변화속도(dT/dt)의 최대치를 증가시키는, 자성 나노 입자의 발열 방법
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제1항에 있어서,상기 자성 나노 입자는 5nm 이상, 500nm 미만의 직경을 가지는, 자성 나노 입자의 발열 방법
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제9항에 있어서,상기 자성 나노 입자는,초상자성 또는 단자구 형태의 자화 배열 구조를 갖는 자성 나노 입자이거나,자기 소용돌이 코어 성분, 수평 자화 성분 및 나선 자화 성분을 포함하는 자기소용돌이 구조(Magnetic Vortex Structure)를 가지는 자성 나노 입자인, 자성 나노 입자의 발열 방법
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제1항에 있어서,상기 자성 나노 입자는 Permalloy(Ni80Fe20), Maghemite(γ-Fe2O3), Magnetite(γ-Fe3O4), BariumFerrite(BaxFeyOz; x, y, z는 임의의 조성), MnFe2O4, NiFe2O4, ZnFe2O4 및 CoFe2O4 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 자성 나노 입자의 발열 방법
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