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(hkl)의 밀러 지수를 갖는 고지수 표면이 노출되도록 단결정 금속 기판을 가공하는 단계; 및화학기상증착방법(chemical vapor deposition)으로 상기 고지수 표면에 단결정 전이금속 칼코겐 화합물을 합성하는 단계;를 포함하고,상기 h,k 및 l은 각각 서로 독립적으로 +1 이상 또는 -1 이하의 정수로서, 이들 중 하나 이상은 2 이상 또는 -2 이하인 것을 특징으로 하는, 단결정 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 기판은 전이금속 및 칼코겐 원소들과 반응하지 않는 금속 또는 합금으로 형성된 것인,단결정 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 합성 방법
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제2항에 있어서,상기 금속 기판은 FCC 결정구조를 갖는 금(Au)으로 형성된 것을 특징으로 하는, 단결정 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 전이금속 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 전이금속 원소 및 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 칼코겐 원소를 포함한,단결정 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 화학기상증착방법은 500 내지 900℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는,단결정 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 합성 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 합성 방법에 따라 제조된,단결정 전이금속 칼코겐 화합물 박막
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제6항에 있어서,상기 단결정 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 크기는 세로 길이가 0
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