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고속 전이 기반의 멀티플렉서 및 플립플롭

  • 기술번호 : KST2021010367
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속 전이 기반의 멀티플렉서 및 플립플롭에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 고속 전이 기반의 멀티플렉서는 제1 입력 노드와 결합된 제1 버퍼, 제2 입력 노드와 결합된 제2 버퍼, 상기 제1 버퍼 및 상기 제2 버퍼의 출력 노드와 결합된 인버터, 및 상기 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우, 전이되는 데이터에 따라 상기 제1 버퍼 및 상기 제2 버퍼에서 플로팅되는 플로팅 노드(Floating node)를 프리차징(Pre-charging)하거나 프리디스차징(Pre-discharging)하는 프리차징 및 프리디스차징 회로를 포함한다.
Int. CL H03K 17/693 (2006.01.01) H03K 19/094 (2006.01.01) H03K 3/356 (2006.01.01) H03K 3/012 (2006.01.01)
CPC H03K 17/693(2013.01) H03K 19/09425(2013.01) H03K 3/356104(2013.01) H03K 3/012(2013.01)
출원번호/일자 1020200088748 (2020.07.17)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2280445-0000 (2021.07.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20210722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.07.17)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전정훈 서울특별시 강남구
2 진자훈 경기도 화성
3 박인재 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)
2 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
3 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0745990-66
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2021.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2021-0047036-96
3 등록결정서
Decision to grant
2021.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0562154-13
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2021.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0913008-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 입력 노드와 결합된(coupled) 제1 버퍼; 제2 입력 노드와 결합된 제2 버퍼; 상기 제1 버퍼 및 상기 제2 버퍼의 출력 노드와 결합된 인버터; 및 상기 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우, 전이되는 데이터에 따라 상기 제1 버퍼 및 상기 제2 버퍼에서 플로팅되는 플로팅 노드(Floating node)를 프리차징(Pre-charging)하거나 프리디스차징(Pre-discharging)하는 프리차징 및 프리디스차징 회로를 포함하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 버퍼 및 상기 제2 버퍼는, 각각 이네이블(Enable) 신호를 입력받는 3-상태(Tri-state) 버퍼인, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
3 3
제1항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제1 입력 노드 및 상기 제1 버퍼의 플로팅 노드와 결합되고, 상기 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제1 버퍼의 플로팅 노드를 프리차징하거나 프리디스차징하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
4 4
제3항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제1 버퍼의 제1 플로팅 노드와 결합된 제1 트랜지스터를 통해, 상기 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제1 버퍼의 제1 플로팅 노드를 프리디스차징하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
5 5
제3항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제1 버퍼의 제2 플로팅 노드와 결합된 제2 트랜지스터를 통해, 상기 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제1 버퍼의 제2 플로팅 노드를 프리차징하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
6 6
제1항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제2 입력 노드 및 상기 제2 버퍼의 플로팅 노드와 결합되고, 상기 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제2 버퍼의 플로팅 노드를 프리차징하거나 프리디스차징하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
7 7
제6항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제2 버퍼의 제1 플로팅 노드와 결합된 제3 트랜지스터를 통해, 상기 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제2 버퍼의 제1 플로팅 노드를 프리디스차징하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
8 8
제6항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제2 버퍼의 제2 플로팅 노드와 결합된 제4 트랜지스터를 통해, 상기 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제2 버퍼의 제2 플로팅 노드를 프리차징하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
9 9
제1항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, N채널 모스펫(MOSFET) 구조의 제1 및 제3 트랜지스터와, P채널 모스펫(MOSFET) 구조의 제2 및 제4 트랜지스터를 포함하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
10 10
제1항에 있어서, 풀다운(Pull-down)되거나 풀업(Pull-up)되어야 하는 출력 노드의 커패시턴스 값은 데이터 패턴과 상관 없이 기설정된 캐패시턴스 값을 유지하는, 고속 전이 기반의 멀티플렉서
11 11
제1 입력 노드와 결합되는 제1 버퍼와, 상기 제1 버퍼의 제1 출력 노드와 결합되는 복수의 인버터를 구비하는 제1 래치; 및 상기 제1 래치의 출력이 제2 입력 노드와 결합되는 제2 버퍼와, 상기 제2 버퍼의 제2 출력 노드와 결합되는 다른 복수의 인버터를 구비하는 제2 래치를 포함하고, 상기 제2 래치는, 상기 제2 버퍼의 제2 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우, 전이되는 데이터에 따라 상기 제2 버퍼에서 플로팅되는 플로팅 노드를 프리차징(Pre-charging)하거나 프리디스차징(Discharging)하는 프리차징 및 프리디스차징 회로를 포함하는, 고속 전이 기반의 플립플롭
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 버퍼 및 상기 제2 버퍼는, 각각 이네이블(Enable) 신호를 입력받는 3-상태(Tri-state) 버퍼인, 고속 전이 기반의 플립플롭
13 13
제11항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제2 입력 노드 및 상기 제2 버퍼의 플로팅 노드와 결합되고, 상기 제2 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제2 버퍼의 플로팅 노드를 프리차징하거나 프리디스차징하는, 고속 전이 기반의 플립플롭
14 14
제13항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제2 버퍼의 제1 플로팅 노드와 결합된 제1 트랜지스터를 통해, 상기 제2 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제2 버퍼의 제1 플로팅 노드를 프리디스차징하는, 고속 전이 기반의 플립플롭
15 15
제13항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, 상기 제2 버퍼의 제2 플로팅 노드와 결합된 제2 트랜지스터를 통해, 상기 제2 출력 노드의 데이터 패턴이 전이되는 경우 전이되는 데이터에 맞게 상기 제2 버퍼의 제2 플로팅 노드를 프리차징하는, 고속 전이 기반의 플립플롭
16 16
제11항에 있어서, 상기 프리차징 및 프리디스차징 회로는, N채널 모스펫(MOSFET) 구조의 제1 트랜지스터와, P채널 모스펫(MOSFET) 구조의 제2 트랜지스터를 포함하는, 고속 전이 기반의 플립플롭
17 17
제11항에 있어서, 풀다운(Pull-down)되거나 풀업(Pull-up)되어야 하는 제2 출력 노드의 커패시턴스 값은 데이터 패턴과 상관 없이 기설정된 캐패시턴스 값을 유지하는, 고속 전이 기반의 플립플롭
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 나노·소재기술개발(R&D) 재구성로직 소자 기술개발
2 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 차세대지능형반도체기술개발(R&D) ReRAM 기반 near-memory 비트벡터 연산기를 위한 회로 개발