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리간드, 제 1 금속 및 제 2 금속을 포함하는 금속 유기 구조체를 도파민계 물질에 의해 코팅하는 단계; 및상기 금속 유기 구조체를 질소 분위기 하에서 열처리하여 중공형 탄소 나노 구조체를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 질소 분위기 하에서의 열처리에 의해, 상기 도파민계 물질은 질화물계 탄소 나노 구조체 쉘을 형성하고, 상기 탄소 나노 구조체 쉘 내부에 금속 나노 입자가 분산되고,상기 리간드는 상기 질소 분위기에 의해 N 으로 치환되는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속을 연결하는 리간드가 상기 N 에 의해 치환되는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 구조체를 상기 도파민계 물질에 의해 코팅하는 단계는 상기 금속 유기 구조체 및 상기 도파민계 물질을 버퍼 용액 상에 함침시키는 것을 포함하는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 금속 유기 구조체를 상기 도파민계 물질에 의해 코팅하는 단계는 교반, 열처리, 마이크로파 처리, 산화-환원 반응, 자외선 조사 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 공정에 의해 수행되는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 버퍼 용액은 트리스(tris), 트리스 염화수소(tris HCl), 비신(bicine), 인산염(phosphate) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속은, 각각 독립적으로, Ni, Co, Fe, Au, Pt, Ti, Ag, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Mn, Al, Mg, W, Cu, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속은 서로 상이한 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소 분위기는 NH3, N2, NO, NO2, N2O, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질에 의해 조성되는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도파민계 물질은 도파민(dopamine), 폴리도파민(polydopamine), 노르에피네프린(norepinephrine), 에피네프린(epinephrine), 및 이들의 조합들로 이루어진 카테콜아민 화합물을 포함하는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항 및 제 4 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 중공형 탄소 나노 구조체의 제조 방법에 의해 제조된 중공형 탄소 나노 구조체에 있어서,질화물계 탄소 나노 구조체 쉘; 및상기 질화물계 탄소 나노 구조체 쉘 내부에 분산된 금속 나노 입자; 를 포함하는, 중공형 탄소 나노 구조체
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제 12 항에 있어서, 상기 금속 나노 입자는 2종 이상의 금속을 포함하는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체
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제 12 항에 있어서,상기 중공형 탄소 나노 구조체는 입방정계(cubic), 정방정계(tetragonal), 사방정계(orthorhombic), 단사정계(monoclinic), 삼사정계(triclinic), 삼방정계(trigonal), 육방정계(hexagonal), 구형(sphere), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 형상을 포함하는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체
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제 12 항에 있어서,상기 쉘 100 중량부를 기준으로, 상기 쉘은 50 중량부 내지 60 중량부의 탄소 및 6 중량부 내지 15 중량부의 질소를 포함하는 것인, 중공형 탄소 나노 구조체
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제 12 항에 있어서,상기 중공의 직경은 100 nm 내지 1,000 nm 인 것인, 중공형 탄소 나노 구조체
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제 12 항에 따른 중공형 탄소 나노 구조체를 포함하는, 전자 소재
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