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소정의 두께를 가지는 제1 기판;상기 제1 기판의 일 면에 위치하고, 슬롯을 포함하는 피드 안테나를 구비하는 제2 기판; 및상기 슬롯을 둘러싸는 가장자리를 따라 배치되는 비아 펜스;를 포함하고, 상기 비아 펜스는,상기 제1 기판 내부를 관통하고 상기 가장자리를 따라 배치되는 복수의 금속 비아; 및상기 제1 기판의 타 면과 직접 접촉하도록 위치하고 상기 복수의 금속 비아가 형성되는 위치를 따라 상기 복수의 금속 비아 각각의 일면을 연결하도록 배치되는 지지 금속판;을 포함하는, 후면 방사 안테나 시스템
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제1항에 있어서,상기 복수의 금속 비아는 상기 슬롯을 둘러싸는 가장자리의 일 측에 배치되는 제1 비아 그룹 및 상기 제1 비아 그룹과 마주보는 제2 비아 그룹을 포함하고, 상기 제1 비아 그룹 및 상기 제2 비아 그룹은 상기 피드 안테나에 공급되는 전류에 의한 전기적 필드가 형성하는 H 평면에 수직하며,상기 지지 금속판은 상기 제1 비아 그룹의 일 면을 연결하도록 배치되는 제1 지지 금속판 및 상기 제2 비아 그룹의 일 면을 연결하도록 배치되는 제2 지지 금속판을 포함하고,상기 비아 펜스는 상기 제1 비아 그룹 및 상기 제1 지지 금속판을 포함하는 제1 펜스, 및 상기 제2 비아 그룹 및 상기 제2 지지 금속판을 포함하는 제2 펜스를 포함하는, 후면 방사 안테나 시스템
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제2항에 있어서,상기 제2 기판은 상기 슬롯을 형성하는 제1 금속판을 포함하고,상기 슬롯은 이중 슬롯으로 구비되며,상기 이중 슬롯의 중심과 상기 제1 펜스의 양단 사이의 각도는 120˚ 이상 180˚ 미만이고, 상기 이중 슬롯의 중심과 상기 제2 펜스의 양단 사이의 각도는 120˚ 이상 180˚ 미만인, 후면 방사 안테나 시스템
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제2항에 있어서,상기 슬롯의 일 단으로부터 상기 금속 비아의 중심까지의 거리는 상기 피드 안테나에 공급되는 전기장의 파장의 1/2과 같은, 후면 방사 안테나 시스템
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5 |
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제1항에 있어서,상기 복수의 금속 비아는 균일한 간격으로 위치하는, 후면 방사 안테나 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 유전체를 포함하는 유전체 층이고,상기 제2 기판의 두께는 상기 제1 기판의 두께보다 얇고,상기 제1 기판의 유전율은 상기 제2 기판의 유전율보다 큰, 후면 방사 안테나 시스템
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7
제2항에 있어서,상기 복수의 금속 비아는,상기 제1 비아 그룹 및 상기 제2 비아 그룹 사이에서 상기 가장자리를 따라 배치되는 제3 비아 그룹, 및 상기 제3 비아 그룹과 마주보는 제4 비아 그룹을 더 포함하고, 상기 제3 비아 그룹 및 상기 제4 비아 그룹은 상기 피드 안테나에 공급되는 전류에 의한 전기적 필드에 의해 형성되고 상기 H 평면과 수직한 E 평면에 수직하며,상기 지지 금속판은 상기 제3 비아 그룹의 일 면을 연결하도록 배치되는 제3 지지 금속판 및 상기 제4 비아 그룹의 일 면을 연결하도록 배치되는 제4 지지 금속판을 더 포함하고,상기 비아 펜스는 상기 제3 비아 그룹 및 상기 제3 지지 금속판을 포함하는 제3 펜스, 및 상기 제4 비아 그룹 및 상기 제4 지지 금속판을 포함하는 제4 펜스를 더 포함하는, 후면 방사 안테나 시스템
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소정의 두께를 가지는 제1 기판; 상기 제1 기판의 일 면에 위치하고, 슬롯을 포함하는 피드 안테나를 구비하는 제2 기판; 및상기 슬롯을 둘러싸는 가장자리를 따라 배치되는 비아 펜스;를 포함하고,상기 비아 펜스는,상기 제1 기판 내부를 관통하고 상기 가장자리의 전체를 따라 배치되는 복수의 금속 비아; 및상기 제1 기판의 타 면과 직접 접촉하도록 위치하고 상기 복수의 금속 비아가 형성되는 위치를 따라 상기 복수의 금속 비아 각각의 일면을 연결하되 폐쇄형으로 구비되는 지지 금속판;을 포함하는, 후면 방사 안테나 시스템
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9
제8항에 있어서,상기 제2 기판은 상기 슬롯을 형성하는 제1 금속판을 포함하고,상기 슬롯은 이중 슬롯으로 구비되며,상기 이중 슬롯의 중심과 상기 비아 펜스의 양단 사이의 각도는 120˚ 이상 180˚ 미만인, 후면 방사 안테나 시스템
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10
제8항에 있어서,상기 슬롯의 일 단으로부터 상기 금속 비아의 중심까지의 거리는 상기 피드 안테나에 공급되는 전기장의 파장의 1/2과 같은, 후면 방사 안테나 시스템
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제8항에 있어서,상기 복수의 금속 비아는 균일한 간격으로 위치하는, 후면 방사 안테나 시스템
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제8항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 유전체를 포함하는 유전체 층이고,상기 제2 기판의 두께는 상기 제1 기판의 두께보다 얇고,상기 제1 기판의 유전율은 상기 제2 기판의 유전율보다 큰, 후면 방사 안테나 시스템
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