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하기 화학식 1로 표시되는 신규 화합물;[화학식 1]상기 화학식 1에서,het는 적어도 하나의 헤테로 원자를 함유하는 오각 헤테로고리 또는 오각 접합 헤테로고리이고,R1 은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 아릴기 혹은 헤테로아릴기 중에서 선택된 어느 하나이고,R2 및 R3 는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 알콕시, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기 중에서 선택된 어느 하나이다
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제1항에 있어서,상기 오각 헤테로고리 또는 오각 접합 헤테로고리는 피라졸, 싸이아졸, 옥사졸, 이미다졸, 싸이오펜, 퓨란, 피롤, 벤조싸이오펜, 벤조퓨란 및 인돌 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,신규 화합물
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제1항에 있어서,상기 화학식 1의 het는 두 개 이상의 헤테로 원자를 포함하는 오각 헤테로고리인 것을 특징으로 하는,신규 화합물
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제1항에 있어서,하기 화학식 1-1 내지 1-22 중 어느 하나 이상을 포함하는 신규 화합물;
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하기 화학식 2로 표시되는 할로 헤테로고리 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 2-브로모바이페닐 유도체 화합물을 반응시키는 단계를 포함하는, 제1항에 기재된 신규 화합물을 제조하는 방법;[화학식 2][화학식 3]상기 화학식 2 및 화학식 3에서,het는 피라졸, 싸이아졸, 옥사졸, 이미다졸, 싸이오펜, 퓨란, 피롤, 벤조싸이오펜, 벤조퓨란 및 인돌 중에서 선택된 오각 헤테로고리 또는 오각 접합 헤테로고리이고,R1 은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 아릴기 혹은 헤테로아릴기 중에서 선택된 어느 하나이고,R2 및 R3 는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 알콕시, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기 중에서 선택된 어느 하나이다
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6
제5항에 있어서,상기 반응은 팔라듐 촉매 및 커플링제의 존재 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는,제1항에 기재된 신규 화합물을 제조하는 방법
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7
제6항에 있어서,상기 반응은 1,4-다이옥사인 용매 내에서 120 내지 160℃의 온도로 수행하는 것을 특징으로 하는,제1항에 기재된 신규 화합물을 제조하는 방법
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하기 화학식 4로 표시되는 아릴 헤테로고리 화합물과 하기 화학식 5로 표시되는 1,2-다이브로모아릴 유도체 화합물을 반응시키는 단계를 포함하는, 제1항에 기재된 신규 화합물을 제조하는 방법;[화학식 4][화학식 5]상기 화학식 4 및 화학식 5에서,het는 피라졸, 싸이아졸, 옥사졸, 이미다졸, 싸이오펜, 퓨란, 피롤, 벤조싸이오펜, 벤조퓨란 및 인돌 중에서 선택된 오각 헤테로고리 또는 오각 접합 헤테로고리이고,R1 은 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 아릴기 혹은 헤테로아릴기 중에서 선택된 어느 하나이고,R2 및 R3 는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 알콕시, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기 중에서 선택된 어느 하나이다
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제8항에 있어서,상기 반응은 팔라듐 촉매 및 커플링제의 존재 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는,제1항에 기재된 신규 화합물을 제조하는 방법
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제9항에 있어서,상기 반응은 DMA 용매 내에서 120 내지 160℃의 온도로 수행하는 것을 특징으로 하는,제1항에 기재된 신규 화합물을 제조하는 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 신규 화합물을 포함하는 레독스 플로우 전지용 음극 활물질
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제11항에 있어서,상기 음극활물질은, 10 mV·s-1 의 주사속도로 순환전류전압법으로 산화환원 반응을 확인하였을 때, 상기 음극 활물질의 환원 전위(Ered)는 -2 내지 -3
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제11항에 따른 음극 활물질 및 유기계 용매를 포함하는,레독스 플로우 전지용 전해액
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제13항에 있어서,상기 유기계 용매는 디메틸아세타마이드(DMA, dimethylacetamide), 아세토나이트릴, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디메틸술폭사이드, 디메틸포름아미드, 프로필렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, N-메틸-2-피롤리돈, 플루오로에틸렌카보네이트, 감마부틸락톤, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 트라이에틸렌글리콜 디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에탄올 및 메탄올 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,레독스 플로우 전지용 전해액
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제13항에 있어서,상기 레독스 플로우 전지용 전해액은 지지 전해질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,레독스 플로우 전지용 전해액
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16
제15항에 있어서,상기 지지 전해질은 알킬암모늄염, 리튬염, 소듐염 및 포타슘염 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,레독스 플로우 전지용 전해액
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17
제16항에 있어서,상기 알킬암모늄염은 PF6-, BF4-, AsF6-, ClO4-, CF3SO3-, C(SO2CF3)3-, N(CF3SO2)2- 및 CH(CF3SO2)2- 중에서 선택된 어느 하나 이상의 음이온과, 테트라알킬암모늄 양이온에서 알킬이 메틸, 에틸, 부틸 또는 프로필인 암모늄 양이온의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는,레독스 플로우 전지용 전해액
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18
제16항에 있어서,상기 리튬염은 LiPF6, LiBF4, LiClO4, LiCF3SO3, LiC(SO2CF3)3, LiN(CF3SO2)2 및 LiCH(CF3SO2)2 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,레독스 플로우 전지용 전해액
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제16항에 있어서,상기 소듐염은 NaPF6, NaBF4, NaClO4, NaCF3SO3, NaC(SO2CF3)3, NaN(CF3SO2)2 및 NaCH(CF3SO2)2 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,레독스 플로우 전지용 전해액
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제16항에 있어서,상기 포타슘염은 KPF6, KBF4, KClO4, KCF3SO3, KC(SO2CF3)3, KN(CF3SO2)2 및 KCH(CF3SO2)2 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,레독스 플로우 전지용 전해액
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제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 레독스 플로우 전지용 전해액 및 전극을 포함하는 레독스 플로우 전지
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