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제1 면; 상기 제1 면을 기준으로 소정 거리 이격되고, 상기 제1 면 보다 넓은 면적을 가지는 제2 면; 및상기 제1 면과 제2 면 사이에는 역전된 원추 형태의 바디를 포함하여 구성되고,상기 바디 내부에는 적어도 하나의 활성화된 점결함 센터를 구비하는 광소자에 이용되는 역나노콘
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제1 항에 있어서,상기 바디의 재료(에너지 밴드갭)는 Diamond(5
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제1 항에 있어서,상기 점결함 센터는 다이아몬드의 실리콘공 또는 질소공극, 그리고 SiC의 실리콘 공극인 광소자에 이용되는 역나노콘
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제1 항에 있어서,상기 제1 면의 직경은 20 nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 광소자에 이용되는 역나노콘
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광부품에 있어서,역나노콘을 광원으로 포함하는 광부품으로서,상기 역나노콘은,제1 면; 상기 제1 면을 기준으로 소정 거리 이격되고, 상기 제1 면 보다 넓은 면적을 가지는 제2 면; 및상기 제1 면과 제2 면 사이에는 역전된 원추 형태의 바디를 포함하여 구성되고,상기 바디 내부에는 적어도 하나의 활성화된 점결함 센터를 구비하는 광부품
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역나노콘의 제조방법에 있어서,모재를 준비하는 단계;상기 모재 내부에 질소 이온을 주입하고 어닐링하여 질소 공극을 형성하는 단계;마스크를 원형으로 패터닝하고 비등방성 식각 공정을 이용하여 원기둥 형상의 나노구조물을 형성하는 단계; 및상기 원기둥 형상이 상기 모재가 접촉된 제1면을 상기 원기둥 형상의 상부인 제2면 보다 많이 식각함으로써 역나노콘을 형성하는 단계를 포함하는 역나노콘 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 역나노콘을 형성하는 단계는,역나노콘을 제조하기 위한 패러데이 케이지를 이용하여 건식식각하되,상기 패러데이 케이지는, 상부와 하부에 각각 상부 오픈부와 하부 오픈부를 가지며, 하부 오픈부가 상부 오픈부 보다 더 넓은 면적을 가지는 소정 두께의 원추 형상이며
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제 6항에 있어서,상기 역나노콘에 적어도 하나의 활성화된 질소공극이 존재하는 역나노콘을 선별하는 단계를 더 포함하는 역나노콘 제조방법
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제6 항에 있어서,상기 바디의 재료(에너지 밴드갭)는 Diamond(5
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제6 항에 있어서,상기 점결함 센터는 다이아몬드의 실리콘공 또는 질소공극, 그리고 SiC의 실리콘 공극인 광소자에 이용되는 역나노콘 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 제조된 역나노콘을 상기 다이아몬드 모재에서 분리하여 광부품 구조물에 배치하는 단계를 더 포함하는 역나노콘 제조방법
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