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제 1 비팅 신호를 생성하는 제 1 단일 모드 레이저, 상기 제 1 비팅 신호를 변조하는 이득 조절 영역 및 제 2 비팅 신호를 생성하는 제 2 단일 모드 레이저를 포함하는 이중 모드 레이저; 및변조된 상기 제 1 비팅 신호 및 제 2 비팅 신호를 혼합하고, 혼합된 비팅 신호들의 비팅 주파수에 기반하여 공급되는 전류를 변조하여 테라헤르츠파 신호를 생성하는 포토 믹서를 포함하되,상기 이득 조절 영역은 상기 제 1 단일 모드 레이저 및 상기 제 2 단일 모드 레이저 사이에 형성되고,상기 제 1 비팅 신호는 상기 제 1 단일 모드 레이저에서 상기 이득 조절 영역으로 출력되어 상기 이득 조절 영역에 공급되는 역방향 전압에 기반하여 변조되는 테라헤르츠파 생성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단일 모드 레이저는 제 1 회절 격자, 제 1 이득층 및 제 1 극판을 포함하고,상기 이득 조절 영역은 흡수층 및 제 2 극판을 포함하고,상기 제 2 단일 모드 레이저는 제 2 회절 격자, 제 2 이득층 및 제 3 극판을 포함하는 테라헤르츠파 생성 장치
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3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 회절 격자의 회절 주기 및 상기 제 2 회절 격자의 회절 주기는 서로 상이한 테라헤르츠파 생성 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 이득층, 상기 흡수층 및 상기 제 2 이득층은 동일한 물질로 구성되는 테라헤르츠파 생성 장치
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5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단일 모드 레이저, 상기 이득 조절 영역 및 상기 제 2 단일 모드 레이저는 동일한 기판 상에 형성되는 테라헤르츠파 생성 장치
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제 5 항에 있어서,상기 기판은 갈륨 비소(Gallium Arsenide, GaAs) 기판, 인화 인듐(Indium Phosphide, InP) 기판 그리고 질화 갈륨(Gallium Nitride, GaN) 기판 중 어느 하나인 테라헤르츠파 생성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단일 모드 레이저 그리고 상기 제 2 단일 모드 레이저 중 적어도 하나는 파장 가변 단일 모드 레이저인 테라헤르츠파 생성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단일 모드 레이저 및 상기 제 2 단일 모드 레이저는 분포 궤환형 레이저 다이오드(Distributed Feedback Laser Diode, DFB LD), 브래그 반사경 레이저 다이오드(Distributed Bragg Reflector Laser Diode, DBR LD) 그리고 SGDBR 레이저 다이오드(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector Laser Diode, SGDBR LD) 중 어느 하나인 테라헤르츠파 생성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 포토 믹서는 커플러 및 광-전기 변환기를 포함하는 테라헤르츠파 생성 장치
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제 1 항에 있어서,상기 포토 믹서는 일방향 주행 캐리어 광 다이오드(Unitravelling Carrier Photodiode, UTC-PD), 감쇠장 광 다이오드(Evanescent Photodiode, EC-PD) 그리고 저온 성장 포토 믹서(Low Temperature Grown Photomixer, LTG Photomixer) 중 어느 하나인 테라헤르츠파 생성 장치
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11
제 1 비팅 신호를 생성하는 제 1 단일 모드 레이저, 상기 제 1 비팅 신호를 변조하는 이득 조절 영역 및 제 2 비팅 신호를 생성하는 제 2 단일 모드 레이저를 포함하는 이중 모드 레이저;변조된 상기 제 1 비팅 신호 및 상기 제 2 비팅 신호를 증폭하는 반도체 광 증폭기; 및상기 반도체 광 증폭기에서 증폭된 상기 변조된 제 1 비팅 신호 및 상기 제 2 비팅 신호를 혼합하고, 혼합된 비팅 신호들의 비팅 주파수에 기반하여 공급되는 전류를 변조하여 테라헤르츠파 신호를 생성하는 포토 믹서를 포함하되,상기 이득 조절 영역은 상기 제 1 단일 모드 레이저 및 상기 제 2 단일 모드 레이저 사이에 형성되고,상기 제 1 비팅 신호는 상기 제 1 단일 모드 레이저에서 상기 이득 조절 영역으로 출력되어 상기 이득 조절 영역에 공급되는 역방향 전압에 기반하여 변조되는 테라헤르츠파 생성 장치
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 단일 모드 레이저는 제 1 회절 격자, 제 1 이득층 및 제 1 극판을 포함하고,상기 이득 조절 영역은 흡수층 및 제 2 극판을 포함하고,상기 제 2 단일 모드 레이저는 제 2 회절 격자, 제 2 이득층 및 제 3 극판을 포함하는 테라헤르츠파 생성 장치
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 회절 격자의 회절 주기 및 상기 제 2 회절 격자의 회절 주기는 서로 상이한 테라헤르츠파 생성 장치
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 이득층, 상기 흡수층 및 상기 제 2 이득층은 동일한 물질로 구성되는 테라헤르츠파 생성 장치
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 단일 모드 레이저, 상기 이득 조절 영역 및 상기 제 2 단일 모드 레이저는 동일한 기판 상에 형성되는 테라헤르츠파 생성 장치
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 단일 모드 레이저 그리고 상기 제 2 단일 모드 레이저 중 적어도 하나는 파장 가변 단일 모드 레이저인 테라헤르츠파 생성 장치
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