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에피택셜 구조 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021010800
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예들에 따른 에피택셜 구조 제조 방법은 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 기판의 상기 제1 및 제2 면을 폴리싱(polishing)하는 단계; 상기 제1 면 상에 제1 에피택셜(epitaxial)층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 면 상에 적어도 하나의 제2 에피택셜층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 기판은 실리콘(Si)을 포함하며, 상기 제1 에피택셜층은 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/304 (2006.01.01) C30B 29/40 (2006.01.01) C30B 25/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02538(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/304(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) C30B 29/40(2013.01) C30B 25/02(2013.01)
출원번호/일자 1020200029710 (2020.03.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0114597 (2021.09.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김덕준 대전광역시 서구
2 김갑중 대전광역시 유성구
3 한원석 대전광역시 유성구
4 김종회 대전광역시 유성구
5 고영호 대전광역시 유성구
6 백용순 대전광역시 유성구
7 백주희 세종특별자치시 새롬
8 전수정 대전광역시 서구
9 허영미 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0253909-26
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번호 청구항
1 1
제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 기판의 상기 제1 및 제2 면을 폴리싱(polishing)하는 단계;상기 제1 면 상에 제1 에피택셜(epitaxial)층을 형성하는 단계; 및상기 제2 면 상에 적어도 하나의 제2 에피택셜층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 기판은 실리콘(Si)을 포함하며, 상기 제1 에피택셜층은 III-V족 화합물 반도체를 포함하는 에피택셜 구조 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.