| 1 |
1
전도성 잉크를 이용하여 기판 위에 다이오드의 하부 전극을 인쇄하는 단계; 상기 인쇄된 하부 전극 위에 제1 반도체 잉크를 이용하여 상기 다이오드의 제1 반도체 층을 인쇄하는 단계; 상기 인쇄된 제1 반도체 층 위에 제2 반도체 잉크를 이용하여 상기 다이오드의 제2 반도체 층을 인쇄하는 단계; 및 상기 인쇄된 제2 반도체 층 위에 전도성 잉크를 이용하여 상기 다이오드의 상부 전극을 인쇄하는 단계를 포함하는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1 반도체 잉크는, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 기반으로 하는 반도체 잉크인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1 반도체 잉크는, PEDOT:PSS 수용액, 다이메틸 설폭사이드(DMSO, Dimethyl sulfoxide), 폴리바이닐 알코올(PVA, Polyvinyl alcohol) 및 트리톤 X-100(Triton X-100)을 이용하여 제조되는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제1 반도체 잉크는, 점도 100 내지 200 cP(centi-Poise)와 표면장력 30 내지 35 mN/m을 가진 PEDOT 기반 롤투롤 그라이바용 반도체 잉크인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 잉크는, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)를 기반으로 하는 반도체 잉크인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 잉크는, 질산 인듐 수화물(Indium nitrate hydrate), 질산 갈륨 수화물(Gallium nitrate hydrate) 및 초산 아연 2수화물(Zinc acetate dehydrate)의 졸-겔 공정을 통해 제조된 IGZO 결정질 파우더를 이용하여 제조되는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 잉크는, 졸-겔 공정을 통해 제조된 IGZO 결정질 파우더, 다이메틸 설폭사이드(DMSO, Dimethyl sulfoxide), 폴리바이닐 알코올(PVA, Polyvinyl alcohol) 및 트윈-80(Tween-80)을 이용하여 제조되는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 잉크는, 점도 80 내지 200 cP와 표면장력 30 내지 38 mN/m을 가진 IGZO 기반 롤투롤 그라이바용 반도체 잉크인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 층을 인쇄하는 단계는, 졸-겔(Sol-Gel) 공정을 통해 IGZO 결정질 파우더를 제조하는 단계; 상기 제조된 결정질 IGZO 파우더를 이용하여 IGZO 패이스트(Paste)를 제조하는 단계; 및 상기 제조된 IGZO 패이스트를 이용하여 롤투롤 그라비아용 상기 제2 반도체 잉크를 제조하는 단계를 포함하는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 전도성 잉크는, 은(Ag) 나노파티클 잉크, 구리(Cu) 나노파티클 잉크, 니켈(Ni) 나노파티클 잉크 및 카본 패이스트(Carbon paste) 잉크 중에서 어느 하나인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나 제조 방법
|
| 11 |
11
전도성 잉크를 이용하여 기판 위에 인쇄된 다이오드의 하부 전극; 상기 인쇄된 하부 전극 위에 제1 반도체 잉크를 이용하여 인쇄된 상기 다이오드의 제1 반도체 층; 상기 인쇄된 제1 반도체 층 위에 제2 반도체 잉크를 이용하여 인쇄된 상기 다이오드의 제2 반도체 층; 및 상기 인쇄된 제2 반도체 층 위에 전도성 잉크를 이용하여 인쇄된 상기 다이오드의 상부 전극을 포함하는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 제1 반도체 잉크는, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 기반으로 하는 반도체 잉크인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 13 |
13
제11항에 있어서, 상기 제1 반도체 잉크는, PEDOT:PSS 수용액, 다이메틸 설폭사이드(DMSO, Dimethyl sulfoxide), 폴리바이닐 알코올(PVA, Polyvinyl alcohol) 및 트리톤 X-100(Triton X-100)을 이용하여 제조되는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 14 |
14
제11항에 있어서, 상기 제1 반도체 잉크는, 점도 100 내지 200 cP와 표면장력 30 내지 35 mN/m을 가진 PEDOT 기반 롤투롤 그라이바용 반도체 잉크인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 15 |
15
제11항에 있어서, 상기 제2 반도체 잉크는, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)를 기반으로 하는 반도체 잉크인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 16 |
16
제11항에 있어서, 상기 제2 반도체 잉크는, 질산 인듐 수화물(Indium nitrate hydrate), 질산 갈륨 수화물(Gallium nitrate hydrate) 및 초산 아연 2수화물(Zinc acetate dehydrate)의 졸-겔 공정을 통해 제조된 IGZO 결정질 파우더를 이용하여 제조되는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 17 |
17
제11항에 있어서, 상기 제2 반도체 잉크는, 졸-겔 공정을 통해 제조된 IGZO 결정질 파우더, 다이메틸 설폭사이드(DMSO, Dimethyl sulfoxide), 폴리바이닐 알코올(PVA, Polyvinyl alcohol) 및 트윈-80(Tween-80)을 이용하여 제조되는, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 18 |
18
제11항에 있어서, 상기 제2 반도체 잉크는, 점도 80 내지 200 cP와 표면장력 30 내지 38 mN/m을 가진 IGZO 기반 롤투롤 그라이바용 반도체 잉크인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 19 |
19
제11항에 있어서, 상기 전도성 잉크는, 은(Ag) 나노파티클 잉크, 구리(Cu) 나노파티클 잉크, 니켈(Ni) 나노파티클 잉크 및 카본 패이스트(Carbon paste) 잉크 중에서 어느 하나인, 롤투롤 인쇄 기반 인쇄 렉테나
|
| 20 |
20
근거리 무선 통신 신호로부터 롤투롤 인쇄 방식으로 인쇄된 렉테나의 안테나, 캐패시터 및 다이오드를 통해 직류 전압을 출력하는 인쇄 렉테나; 및 상기 출력된 직류 전압을 통해 전원을 공급받는 전자 디바이스를 포함하고, 상기 다이오드는, 전도성 잉크를 이용하여 기판 위에 인쇄된 다이오드의 하부 전극, 상기 인쇄된 하부 전극 위에 제1 반도체 잉크를 이용하여 인쇄된 상기 다이오드의 제1 반도체 층, 상기 인쇄된 제1 반도체 층 위에 제2 반도체 잉크를 이용하여 인쇄된 상기 다이오드의 제2 반도체 층, 및 상기 인쇄된 제2 반도체 층 위에 전도성 잉크를 이용하여 인쇄된 상기 다이오드의 상부 전극을 포함하는, 인쇄 렉테나를 이용한 전자 장치
|
| 21 |
21
제20항에 있어서, 요구되는 직류 전압에 따라 상기 렉테나의 다이오드의 개수 및 캐피시터의 개수가 조합되고, 개수 조합을 통해 복수의 플러스(+) 전압 또는 복수의 마이너스(-) 직류 전압 중에서 상기 요구되는 직류 전압이 상기 렉테나에 연결된 전자 다바이스에 제공되는, 인쇄 렉테나를 이용한 전자 장치
|
| 22 |
22
제20항에 있어서, 상기 인쇄 렉테나는, 요구되는 직류 전압에 따라 싱글 타입의 캐패시터 및 다이오드를 포함하는, 인쇄 렉테나를 이용한 전자 장치
|
| 23 |
23
제20항에 있어서, 상기 인쇄 렉테나는, 상기 캐패시터 및 상기 다이오드와 연결된 슈퍼 캐패시터를 더 포함하는, 인쇄 렉테나를 이용한 전자 장치
|
| 24 |
24
제23항에 있어서, 상기 슈퍼 캐패시터는, 캐패시터 정전 용량이 1 uF 내지 20 uF의 용량을 가지는 인쇄 캐패시터 또는 상용 캐패시터를 포함하는, 인쇄 렉테나를 이용한 전자 장치
|
