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하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 광 활성층; 및상기 광 활성층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하고,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 서로 교차되어 크로스 바(cross-bar) 구조를 형성하고,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 중 하나 이상은 투명 전극을 포함하는 것인,광 뉴로모픽 소자
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극이 형성하고 있는 교차점 상에 광 활성층이 형성된 것인, 광 뉴로모픽 소자
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극을 각각 2 개 이상 포함하여 어레이 구조를 형성하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
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제 1 항에 있어서,상기 광 활성층은 IGZO, IZO
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제 1 항에 있어서,상기 광 활성층은 산소 공공(oxygen vacancy)를 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
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제 1 항에 있어서,상기 광 활성층은 1 eV 내지 4 eV 이상의 밴드갭을 가지는 것인, 광 뉴로모픽 소자
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 광 활성층 사이 또는 상기 상부 전극 및 상기 광 활성층 사이에 절연층을 추가 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
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제 7 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, SiO2, SiON, Si3N4, SiC, ZrO2, AlN, Fe2O3, ZnO, MgF2, Ta2O5, TaO, BN, BST, PZT, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극은 ITO, ZITO, ZIO, GIO, ZTO, FTO, AZO, GZO, In4Sn3O12, Zn(1-x)MgxO(0≤x≤1), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극을 향하여 배치된 광원을 추가 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
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하부 전극 상에 광 활성층을 형성하는 단계; 및상기 광 활성층 상에, 상기 하부 전극과 교차되어 크로스 바(cross-bar) 구조를 형성하는 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는,광 뉴로모픽 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 광 활성층은 졸-겔(sol-gel)법에 의해 형성되는 것인, 광 뉴로모픽 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 광 활성층은 진공 분위기에서 열처리하여 형성되는 것인, 광 뉴로모픽 소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 항에 따른 광 뉴로모픽 소자를 포함하는, 인공신경망
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