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광 뉴로모픽 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 인공신경망

  • 기술번호 : KST2021010935
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 광 활성층; 및 상기 광 활성층 상에 형성된 상부 전극; 을 포함하고, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 서로 교차되어 크로스 바(cross-bar) 구조를 형성하고, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 중 하나 이상은 투명 전극을 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0328 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) G06N 3/063 (2006.01.01)
CPC H01L 31/08(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자 1020200025455 (2020.02.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0110041 (2021.09.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영훈 경기도 성남시 분당구
2 이민경 경기도 수원시 장안구
3 송승호 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0215970-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0076852-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0334691-72
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2021-0742070-07
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0742056-67
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번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 광 활성층; 및상기 광 활성층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하고,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 서로 교차되어 크로스 바(cross-bar) 구조를 형성하고,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 중 하나 이상은 투명 전극을 포함하는 것인,광 뉴로모픽 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극이 형성하고 있는 교차점 상에 광 활성층이 형성된 것인, 광 뉴로모픽 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극을 각각 2 개 이상 포함하여 어레이 구조를 형성하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 광 활성층은 IGZO, IZO
5 5
제 1 항에 있어서,상기 광 활성층은 산소 공공(oxygen vacancy)를 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 광 활성층은 1 eV 내지 4 eV 이상의 밴드갭을 가지는 것인, 광 뉴로모픽 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 광 활성층 사이 또는 상기 상부 전극 및 상기 광 활성층 사이에 절연층을 추가 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, SiO2, SiON, Si3N4, SiC, ZrO2, AlN, Fe2O3, ZnO, MgF2, Ta2O5, TaO, BN, BST, PZT, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 투명 전극은 ITO, ZITO, ZIO, GIO, ZTO, FTO, AZO, GZO, In4Sn3O12, Zn(1-x)MgxO(0≤x≤1), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 투명 전극을 향하여 배치된 광원을 추가 포함하는 것인, 광 뉴로모픽 소자
11 11
하부 전극 상에 광 활성층을 형성하는 단계; 및상기 광 활성층 상에, 상기 하부 전극과 교차되어 크로스 바(cross-bar) 구조를 형성하는 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는,광 뉴로모픽 소자의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 광 활성층은 졸-겔(sol-gel)법에 의해 형성되는 것인, 광 뉴로모픽 소자의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 광 활성층은 진공 분위기에서 열처리하여 형성되는 것인, 광 뉴로모픽 소자의 제조 방법
14 14
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 항에 따른 광 뉴로모픽 소자를 포함하는, 인공신경망
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 혁신성장연계지능형반도체선도기술개발(R&D) 초저전력 인공지능 프로세스 구현을 위한 광기반 뉴로모픽 소자 및 어레이 개발
2 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 에너지인력양성(전력기금)(R&D) IoT용 에너지 하베스팅 소자 개발 인력양성을 위한 융복합 고급트랙
3 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 초저전력 인공지능 회로 구현을 위한 포토닉 인공지능 소자 및 네트워크 기술 개발