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하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 에스테르화 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 폴리(아릴렌에테르술폰)-폴리(에틸렌글리콜) 그라프트 공중합체를 합성하는 단계;를 포함하는, 폴리(아릴렌에테르술폰)-폴리(에틸렌글리콜) 그라프트 공중합체 합성 방법;[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에서, n은 60 내지 80의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 반응은 4-디메틸아미노피리딘(4-dimethylaminopyridine; DMAP) 및 N,N'-디사이클로헥실카보디이미드(N,N'-dicyclohexylcarbodiimide; DCC) 의 존재 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는,폴리(아릴렌에테르술폰)-폴리(에틸렌글리콜) 그라프트 공중합체 합성 방법
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제1항에 있어서,상기 반응은 디메틸포름아미드(DMF) 용매 내에서 60 내지 100℃ 의 온도로 수행하는 것을 특징으로 하는,폴리(아릴렌에테르술폰)-폴리(에틸렌글리콜) 그라프트 공중합체 합성 방법
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하기 화학식 1로 표시되는 폴리(아릴렌에테르술폰)-폴리(에틸렌글리콜) 그라프트 공중합체를 포함하는, 리튬 이차전지용 리튬 금속 음극 보호층;[화학식 1]상기 화학식 1에서, n은 60 내지 80의 정수이고, m은 40 내지 45의 정수이다
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제4항에 있어서,상기 음극 보호층은 리튬 금속 표면에 형성되며,이온 전도도가 0
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제5항에 있어서,상기 음극 보호층의 인장 강도는 2
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제5항에 있어서,상기 음극 보호층의 열분해 온도(decomposition temperature, Td)는 200℃ 이상인 것을 특징으로 하는,리튬 이차전지용 리튬 금속 음극 보호층
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제5항에 있어서,상기 액체 전해질은,리튬염; 및에틸렌 카보네이트(EC), 아세토나이트릴(ACN) 및 디에틸 카보네이트(DEC) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 유기용매;를 포함하는 것을 특징으로 하는,리튬 이차전지용 리튬 금속 음극 보호층
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제8항에 있어서,상기 액체 전해질은 유기용매로 에틸렌 카보네이트(EC), 아세토나이트릴(ACN) 및 디에틸 카보네이트(DEC)를 포함하고,상기 에틸렌 카보네이트(EC), 아세토나이트릴(ACN) 및 디에틸 카보네이트(DEC)를 3 : 3
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제8항에 있어서, 상기 리튬염은 LITFSI(Lithium bis(trifluoromethanesulfonyl))을 포함하는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 리튬 금속 음극 보호층
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하기 화학식 1로 표시되는 폴리(아릴렌에테르술폰)-폴리(에틸렌글리콜) 그라프트 공중합체를 용매에 용해시켜 제1 용액을 제조하는 단계; 및 아르곤 가스 하에서, 상기 제1 용액을 리튬 금속 표면에 도포하는 단계;를 포함하는,리튬 이차전지용 리튬 금속 음극 보호층 형성 방법;[화학식 1]상기 화학식 1에서, n은 60 내지 80의 정수이고, m은 40 내지 45의 정수이다
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제11항에 있어서,상기 용매는 테트라하이드로퓨란(THF)을 포함하는 것을 특징으로 하는,리튬 이차전지용 리튬 금속 음극 보호층 형성 방법
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양극; 음극; 및 액체 전해질;을 포함하며,상기 음극은 리튬 금속 표면에 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 보호층이 형성된 것인,리튬 이차전지
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제13항에 있어서,상기 액체 전해질은 리튬염으로 LITFSI(Lithium bis(trifluoromethanesulfonyl))을 포함하고,유기용매로 에틸렌 카보네이트(EC), 아세토나이트릴(ACN) 및 디에틸 카보네이트(DEC)를 3 : 3
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