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열산발생제, 솔더 입자 및 폴리머 수지를 포함하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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제1항에 있어서,상기 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제를 이용하여 전자기기의 내부 부품들간의 전기적 연결을 위한 열압착 과정에서 상기 열산발생제에서 발생되는 산(acid)이 상기 솔더 입자에 생성되는 솔더 산화물을 제거하는 것을 특징으로 하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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제2항에 있어서,상기 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제를 이용하여 전자기기의 내부 부품들간의 전기적 연결을 위한 열압착 과정에서 상기 솔더 산화물이 제거된 솔더 입자가 상기 부품들의 전극들 사이에서 금속합금 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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제1항에 있어서,상기 열산발생제는 트라이플루오로메탄설폰산 (Trifluoromethanesulfonic acid, CF3SO3H), 디노닐나프탈렌디설폰산 (Dinonylnaphthalene disulfonic acid, C28H44O6S2), 디노닐나프탈렌설폰산 (Dinonylnaphthalene sulfonic acid, C28H44O3S), p-톨루엔설폰산 (p-Toluenesulfonic acid, C7H8O3S), 도데실벤젠술폰산 (Dodecylbenzenesulfonic acid, C18H30O3S), 헥사플루오로안티몬산 (hexafluoroantimonate, SbF6), 퍼플루오로부탄술폰산 (Perfluorobutanesulfonic acid, C4HF9O3S), 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드 (bis (Trifluoromethanesulfonyl) imide, C2F6NO4S2), 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 (Tetrakis (pentafluorophenyl) borate, C24BF20) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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제1항에 있어서,상기 열산발생제의 활성 온도는 60 ℃ 이상 240 ℃ 미만인 것을 특징으로 하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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제1항에 있어서,상기 솔더 입자는 Sn, Sn3Ag0
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제1항에 있어서,상기 솔더 입자의 직경은 20μm 미만인 것을 특징으로 하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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제1항에 있어서,상기 솔더 입자의 용해점은 60℃ 이상 240 ℃ 미만인 것을 특징으로 하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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제1항에 있어서,상기 폴리머 수지는 고상 혹은 액상의 열경화성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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제1항에 있어서,상기 폴리머 수지는 아크릴 수지(acrylic resin), 양이온 에폭시 수지(cation epoxy resin) 및 이미다졸 에폭시 수지(imidazole epoxy resin) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제
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열산발생제 및 솔더 입자가 믹싱된 폴리머 용액을 콤마롤(Comma Roll)을 통해 코팅하여 액상의 폴리머 층을 형성하는 단계;상기 액상의 폴리머 층을 건조시켜, 고체의 폴리머 층을 포함하는 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제를 제조하는 단계; 및전기적 연결을 위한 전자기기의 내부 부품들 사이에 상기 열압착 접합용 이방성 전도성 접착제를 배치하여 열압착하는 단계를 포함하는 전자부품 간 접속방법
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제11항에 있어서,상기 열압착하는 단계에서,상기 열산발생제에서 발생되는 산(acid)이 상기 솔더 입자에 생성되는 솔더 산화물을 제거하는 것을 특징으로 하는 전자부품 간 접속방법
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제12항에 있어서,상기 열압착하는 단계에서,상기 솔더 산화물이 제거된 솔더 입자가 상기 부품들의 전극들 사이에서 금속합금 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자부품 간 접속방법
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제11항에 있어서,상기 열산발생제는 트라이플루오로메탄설폰산 (Trifluoromethanesulfonic acid, CF3SO3H), 디노닐나프탈렌디설폰산 (Dinonylnaphthalene disulfonic acid, C28H44O6S2), 디노닐나프탈렌설폰산 (Dinonylnaphthalene sulfonic acid, C28H44O3S), p-톨루엔설폰산 (p-Toluenesulfonic acid, C7H8O3S), 도데실벤젠술폰산 (Dodecylbenzenesulfonic acid, C18H30O3S), 헥사플루오로안티몬산 (hexafluoroantimonate, SbF6), 퍼플루오로부탄술폰산 (Perfluorobutanesulfonic acid, C4HF9O3S), 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드 (bis (Trifluoromethanesulfonyl) imide, C2F6NO4S2), 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 (Tetrakis (pentafluorophenyl) borate, C24BF20) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품 간 접속방법
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제11항에 있어서,상기 솔더 입자는 Sn, Sn3Ag0
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