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마찰 대전 작용에 의하여 음전하 또는 양전하로 대전되는 마찰전기 나노발전기용 기판을 마련하는 단계; 챔버 내부에 위치한 지지부 상에 상기 기판을 안착시키는 단계; 상기 챔버 내부로 플라즈마를 형성하기 위한 반응 가스를 제공하는 단계; 상기 플라즈마로부터 이온을 추출하여 중성빔으로 전환시키는 단계; 및상기 중성빔을 상기 기판으로 제공하여 상기 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 마찰전기 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마로부터 이온을 추출하여 중성빔으로 전환시키는 단계는,충돌판에 바이어스 전압을 인가하는 과정과, 상기 충돌판에 상기 플라즈마 이온을 충돌시켜 중성빔으로 변환시키는 과정을 포함하는 마찰전기 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제2항에 있어서, 상기 중성빔은 상기 충돌판에 형성된 복수의 개구 홀을 통해 상기 기판으로 제공되는 마찰전기 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제2항에 있어서, 상기 충돌판은 탄소(C), 탄탈룸(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 스테인레스강 중 적어도 하나를 포함하는 마찰전기 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 베이스층과, 상기 베이스층의 일면 또는 양면에 형성되는 전극층, 및 상기 전극층의 일면에 형성되는 대전층을 포함하는 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제5항에 있어서, 상기 베이스층은 절연체로 제공되는 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제5항에 있어서, 상기 대전층은 마찰 대전 작용에 의하여 양전하로 대전되는 양전하 대전층 또는 음전하로 대전되는 음전하 대전층으로 제공되는 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제7항에 있어서,상기 양전하 대전층은 유기물질 또는 전도체로 제공되고, 상기 유기물질은 TPU, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α, β-TNB, α-TNB, β- NPP, PEDOT 중 선택된 하나를 포함하고,상기 전도체는 알루미늄, 구리, 니켈 중 선택된 하나를 포함하는 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제7항에 있어서,상기 음전하 대전층은 PDMS, PTFE, PVC, Silicone, Polypropylene, Polyurethane, Saran, Celluloid, Polyester, Rayon 중 선택된 하나를 포함하는 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 마찰전기 나노발전기용 기판을 마련하는 단계는,베이스층의 일면 또는 양면에 전극층을 형성하는 과정과, 상기 전극층의 일면에 대전층을 형성하는 과정을 포함하는 마찰전기 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제10항에 있어서, 상기 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 단계는,상기 중성빔을 통해 상기 대전층을 에칭하여 상기 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 마찰전기 나노발전기용 기판의 표면 처리 방법
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제1항 내지 제11항 가운데 하나의 방법에 의해 표면 처리된 한 쌍의 기판; 및상기 기판이 서로 마주하도록 상기 기판의 일면을 지지하고, 탄성 변형 가능하게 형성된 스페이서;를 포함하는 마찰전기 나노발전기
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제12항에 있어서, 상기 기판은 음극 기판 및 양극 기판으로 형성되고, 상기 스페이서에 작용하는 외력에 의하여 접촉 및 분리되어 전기를 발생시키는 마찰전기 나노발전기
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제13항에 있어서, 상기 스페이서는 내부에 수용 공간이 형성된 타원형의 파이프 형상으로 제공되고, 상기 음극 기판은 상기 수용 공간 내에 위치하여 상기 스페이서의 일면에 고정되고, 상기 양극 기판은 상기 스페이서의 타면에 고정되는 마찰전기 나노발전기
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