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기판 상에 전도성 고분자 조성물을 코팅하여 전도성 고분자 박막을 형성하는 단계; 및상기 전도성 고분자 박막을 강산 및 유기용매가 혼합된 산성용액으로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 조성물은 폴리티오펜계, 폴리피롤계 및 폴리아닐린계 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 조성물은 PEDOT:PSS를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 강산은 황산 또는 황산유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 황산유도체는 트리플릭산(triflic acid), 메탄술폰산(methanesulfonic acid), p-톨루엔술폰산(p-toluenesulfonic acid), 벤젠술폰산(benzenesulfonic acid), 트리플루오로메탄술폰산(trifluoromethanesulfonic acid), 아닐린-2-술폰산(aniline-2-sulfonic acid), 비닐술폰산(vinylsulfonic acid), 다이페닐아민-4-술폰산(diphenylamine-4-sulfonic acid), 아미노술폰산(aminosulfonic acid), 2-아미노-5-메틸벤젠술폰산(2-Amino-5-methylbenzenesulfonic acid), 4-페놀술폰산(4-phenolsulfonic acid), Perfluorobutanesulfonic acid, 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), p-자일렌-2-술폰산(Xylene Sulfonic Acid, 술파닐산(4-aminobenzenesulfonic), , p-클로로벤젠술폰산(p-chlorobenzenesulfonic acid) 및 나프탈렌-2-술폰산(naphthalene-2-sulfonic acid) 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 황산유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기용매는 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 프로판올(propanol), 부탄올(butanol), 펜탄올(pentanol), 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO) 및 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산성용액 내 강산의 농도가 10 vol% 내지 90 vol% 인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리; 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에테르 설폰(polyether sulfone, PS), 폴리아릴레이트(polyarylate, PAR), 폴리스티렌(polystylene, PS), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 플라스틱 기판; 인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산성용액으로 상기 전도성 고분자 박막을 처리하는 단계는 5분 내지 25분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막의 제조방법
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제1항의 제조방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 전도성 고분자 박막
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제10항의 전도성 고분자 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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