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고상시료 열처리 장치

  • 기술번호 : KST2021011206
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 고상시료를 급속히 열처리할 수 있는 고상시료 열처리 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 고상시료 열처리 장치는, 열처리 공간에 공급되는 고상시료를 플라즈마 제트로 열처리하는 열처리기, 및 상기 열처리기에 설치되어 플라즈마를 생성하여 고상시료에 플라즈마 제트를 공급하는 플라즈마 발생기를 포함한다.
Int. CL B09B 3/00 (2006.01.01) B01F 7/08 (2006.01.01) B01F 15/06 (2006.01.01) B01F 15/00 (2006.01.01)
CPC B09B 3/0083(2013.01) B01F 7/08(2013.01) B01F 15/06(2013.01) B01F 15/00175(2013.01) B01F 2215/0042(2013.01) Y02W 30/20(2013.01)
출원번호/일자 1020200029712 (2020.03.10)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0114249 (2021.09.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.10)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강홍재 대전광역시 유성구
2 이대훈 대전광역시 유성구
3 송영훈 대전광역시 유성구
4 김관태 세종특별자치시
5 조성권 세종특별자치시
6 송호현 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0253917-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
열처리 공간에 공급되는 고상시료를 플라즈마 제트로 열처리하는 열처리기; 및상기 열처리기에 설치되어 플라즈마를 생성하여 고상시료에 플라즈마 제트를 공급하는 플라즈마 발생기를 포함하는 고상시료 열처리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 고상시료는분말, 입자상 또는 연속적으로 공급 가능한 덩어리 상태의 물질을 포함하는 고상시료 열처리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 열처리기는상기 열처리 공간에 공급된 고상시료의 이동과 혼합을 위한 혼합부를 더 포함하는 고상시료 열처리 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 혼합부는상기 열처리 공간에 설치되는 회전 블레이드를 포함하는 고상시료 열처리 장치
5 5
제3항에 있어서,상기 열처리기는원통으로 형성되어 수평으로 배치되고,상기 혼합부는원통의 중심에 설치되는 고상시료 열처리 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 열처리기는열처리 공간을 형성하는 반응챔버,상기 반응챔버의 일측에 구비되는 시료 주입구,열처리시 생성되는 가스들과 고상물질을 배출하는 가스 배출구와 고상 배출구, 및상기 플라마 발생기가 설치되는 설치구를 포함하는 고상시료 열처리 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 열처리기는상기 반응챔버에 설치되는 혼합부를 더 포함하며,상기 반응챔버는원통으로 형성되어 수평으로 배치되고,상기 혼합부는상기 반응챔버의 중심에 설치되는 고상시료 열처리 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 혼합부는 회전 블레이드를 포함하는 고상시료 열처리 장치
9 9
제7항에 있어서,상기 혼합부는 상기 반응챔버의 중심에 축방향으로 설치되는 회전 블레이드를 포함하는 고상시료 열처리 장치
10 10
제6항에 있어서,상기 열처리기는상기 반응챔버의 내표면에 설치되는 온도센서를 더 포함하는 고상시료 열처리 장치
11 11
제6항에 있어서,상기 반응챔버의 원주 상에서, 상기 설치구는상하 방향을 기준으로 제1각도로 설치되어 플라즈마 제트를 상기 반응챔버의 바닥 내표면의 가장 낮은 부분에 이르게 하는 고상시료 열처리 장치
12 12
제6항에 있어서,상기 반응챔버의 원주 상에서, 상기 시료 주입구는상하 방향을 기준으로 상기 제1각도보다 작은 제2각도로 설치되어 시료를 상기 반응챔버의 중심을 향하여 주입하는 고상시료 열처리 장치
13 13
제1항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는고전압이 인가되는 고전압전극, 및상기 고전압전극을 수용하여 서로의 사이에 방전갭을 형성하여 접지전극으로 작용하며, 방전기체를 공급하는 방전기체 공급구와 플라즈마 제트를 토출하는 토출구를 구비하는 하우징을 포함하는 고상시료 열처리 장치
14 14
제13항에 있어서,상기 고전압전극은내부에 구비되어 냉각수를 순환시키는 냉각수통로, 상기 냉각수통로에 저온의 냉각수를 공급하는 냉각수 공급구, 및 열교환된 고온의 냉각수를 배출하는 냉각수 배출구를 포함하는 고상시료 열처리 장치
15 15
제13항에 있어서,상기 하우징은상기 토출구와 상기 방전기체 공급구를 형성하는 제1부재,상기 제1부재에 연결되고 상기 방전기체 공급구에 연결되는 가스챔버를 형성하는 제2부재,상기 제2부재에 체결되고 상기 고전압전극을 장착하는 제3부재, 및상기 제3부재에 결합되어 상기 냉각수통로에 연결되는 상기 냉각수 공급구와 냉각수 배출구를 구비하는 제4부재를 포함하는 고상시료 열처리 장치
16 16
제1항에 있어서,상기 열처리기는,설정된 길이를 가지고 수평 상태로 배치되어 열처리 공간을 길게 형성하는 수평 반응챔버, 및상기 수평 반응챔버 내의 열처리 공간에 길이 방향으로 설치되어 공급되는 고상시료를 이송하는 수평 이송부를 포함하는 고상시료 열처리 장치
17 17
제16항에 있어서,상기 수평 이송부는스크류를 포함하는 고상시료 열처리 장치
18 18
제16항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는복수로 구비되어 상기 수평 반응챔버에 수평 방향을 따라 이격 배치되어 상기 열처리 공간에 플라즈마 제트를 공급하는 고상시료 열처리 장치
19 19
제1항에 있어서,상기 열처리기는,설정된 길이를 가지고 설정된 각도를 가지고 경사지게 배치되어 열처리 공간을 길고 경사지게 형성하는 경사 반응챔버, 및상기 경사 반응챔버 내의 열처리 공간에 설치되어 공급되는 고상시료를 경사진 이송방향으로 이송하는 경사 이송부를 포함하는 고상시료 열처리 장치
20 20
제19항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는복수로 구비되어 상기 경사 반응챔버에 경사 방향을 따라 이격 배치되어 상기 열처리 공간에 플라즈마 제트를 공급하는 고상시료 열처리 장치
21 21
제19항에 있어서,상기 열처리기는,설정된 길이를 가지고 수평 상태로 배치되어 열처리 공간을 길게 형성하여 상기 경사 반응챔버의 상기 열처리 공간에 연결하는 수평 반응챔버, 및상기 수평 반응챔버 내의 열처리 공간에 길이 방향으로 설치되어 고상시료를 이송하는 수평 이송부를 포함하는 고상시료 열처리 장치
22 22
제21항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는복수로 더 구비되어 상기 수평 반응챔버에 수평 방향을 따라 이격 배치되어 상기 열처리 공간에 플라즈마 제트를 공급하는 고상시료 열처리 장치
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