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하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,X1은 -OCO-; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,R1은 탄소수 5 이상의 알킬기이며,R2 및 R3 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며, R4는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,상기 X1이 -OCO-일 경우, R2는 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,a는 1 내지 3의 정수이고,b는 1 내지 4의 정수이며,a가 2 이상일 경우, 상기 2 이상의 R3는 서로 같거나 상이하고,b가 2 이상일 경우, 상기 2 이상의 R4는 서로 같거나 상이하다
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시되는 것인 화합물:[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에 있어서,R1, R3, R4, a 및 b는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,R2는 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,R5는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,c는 1 내지 4의 정수이고,c가 2 이상일 경우, 상기 2 이상의 R5는 서로 같거나 상이하며,[화학식 1-2]상기 화학식 1-2에 있어서,R1 내지 R4, a 및 b는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,R5는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,c는 1 내지 4의 정수이고,c가 2 이상일 경우, 상기 2 이상의 R5는 서로 같거나 상이하다
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3 |
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청구항 1에 있어서, 상기 R1은 탄소수 5 이상의 분지쇄 알킬기인 것인 화합물
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4
청구항 1에 있어서,상기 화합물은 하기 구조 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
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5 |
5
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 조성물
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6
청구항 5에 있어서,상기 조성물은 용매를 더 포함하는 코팅 조성물인 것인 조성물
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청구항 5에 있어서,상기 조성물은 호스트 물질을 더 포함하는 것인 조성물
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8 |
8
제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 다른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자
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9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인 것인 유기 발광 소자
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10
청구항 9에 있어서,상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하며,상기 도펀트는 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자
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11
제1 전극을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 발광층을 청구항 5의 조성물을 이용하여 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조방법
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12
청구항 11에 있어서, 상기 조성물을 이용하여 발광층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극 상에 상기 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 조성물을 건조하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조방법
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