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다단 선형화 기법을 이용한 전력증폭기로서,동위상의 IMD3(third-order intermodulation distortion)를 생성하도록 서브-임계 전압 바이어스 조건을 갖는 전치왜곡 구동단;역위상의 IMD3를 생성하도록 상기 전치왜곡 구동단에 접속되는 중간단; 및역위상의 IMD3를 생성하도록 상기 중간단에 접속되는 전력단을 포함하고, 상기 전치왜곡 구동단에 의해 생성되는 상기 동위상의 IMD3는 상기 중간단에 의해 생성된 역위상의 IMD3 및 상기 전력단에 의해 생성된 역위상의 IMD3에 의해 상쇄되는다단 선형화 기법을 이용한 전력증폭기
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제1항에 있어서,상기 전치왜곡 구동단은 딥 클래스 C(deep class C) 모드로 동작하고,상기 중간단은 딥 클래스 AB(deep class AB) 모드로 동작하며,상기 전력단은 딥 클래스 AB(deep class AB) 모드로 동작하는다단 선형화 기법을 이용한 전력증폭기
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제1항에 있어서,상기 전력증폭기는 밀리미터파 CMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor) 전력증폭기이고, 24 내지 27 GHz의 주파수 대역에서 동작하는다단 선형화 기법을 이용한 전력증폭기
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제1항에 있어서,상기 전치왜곡 구동단, 상기 중간단, 상기 전력단 각각은 공통 소스를 갖는 2개의 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)을 포함하고, 상기 전치왜곡 구동단과 상기 중간단, 그리고 상기 중간단과 상기 전력단은 트랜스포머 발룬(transformer balun)에 의해 자기적으로 결합되는다단 선형화 기법을 이용한 전력증폭기
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제1항에 있어서,상기 전치왜곡 구동단, 상기 중간단, 상기 전력단 각각은 하나의 MOSFET을 포함하고, 상기 전치왜곡 구동단과 상기 중간단, 그리고 상기 중간단과 상기 전력단은 트랜스포머 발룬에 의해 자기적으로 결합되는다단 선형화 기법을 이용한 전력증폭기
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제1항에 있어서,상기 전치왜곡 구동단, 상기 중간단, 상기 전력단 각각은 하나의 MOSFET을 포함하고, 상기 전치왜곡 구동단과 상기 중간단, 그리고 상기 중간단과 상기 전력단은 인덕터를 통해 결합되는다단 선형화 기법을 이용한 전력증폭기
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