| 1 |
1
자성 나노클러스터를 포함하는 코어부와, 상기 코어부를 둘러싸는 실리카(SiO2)를 포함하는 쉘부를 포함하는 자성 나노복합클러스터; 및상기 자성 나노복합클러스터의 쉘부 상에 위치하고, 보론산기()를 포함하는 수용부;를 포함하는 자성 나노복합체이고,상기 자성 나노복합체가 아래 구조식 5로 표시되고,상기 수용부가 도파민과 공유결합을 형성하여 상기 도파민을 상기 자성 나노복합체에 수용하고,상기 수용부의 작용기가 상기 도파민의 히드록시기와 반응하여 시클릭 에스터를 형성함으로써 상기 도파민을 상기 자성 나노복합체에 수용하고,상기 도파민의 검출 또는 분리에 사용하기 위한 자성 나노복합체:[구조식 5]상기 구조식 5에서,R1은 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이고,R2는 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이고,R3은 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이고,L은 원자가 결합 또는 메틸렌기이고,p는 0 내지 5의 정수 중 어느 하나이고,q는 1 내지 10의 정수 중 어느 하나이고,n1은 0 내지 2의 정수 중 어느 하나이고,n2는 1 내지 3의 정수 중 어느 하나이고,n1 + n2 = 3이다
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 자성 나노클러스터가 자성 나노입자가 모여 형성된 것을 특징으로 하는 자성 나노복합체
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항에 따른 자성 나노복합체를 포함하는 도파민 감지센서
|
| 11 |
11
(a) 자성 나노클러스터를 포함하는 코어부를 제조하는 단계;(b) 상기 코어부 상에 실리카 전구체를 포함하는 코팅액을 코팅하고 졸-겔 반응시켜 상기 코어부를 둘러싸는 실리카(SiO2)를 포함하는 쉘부가 형성된 자성 나노복합클러스터를 제조하는 단계; (c) 상기 실리카를 포함하는 쉘부를 표면처리하여 상기 쉘부 상에 아민기를 형성하는 단계; (d-1) 상기 아민기가 형성된 자성 나노복합클러스터의 쉘부를 표면처리하여 상기 쉘부 상에 카르복실기를 형성하는 단계; 및(d-2) 상기 카르복실기가 형성된 자성 나노복합클러스터의 쉘부를 표면처리하여 상기 쉘부 상에 보론산기()를 포함하는 수용부가 형성된 제1항에 따른 자성 나노복합체를 제조하는 단계;를 포함하는 자성 나노복합체의 제조방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 실리카 전구체가 아래 구조식 6으로 표시되는 것을 특징으로 하는 자성 나노복합체의 제조방법:[구조식 6]상기 구조식 6에서 R4는 C1 내지 C5의 알킬기이다
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 단계 (c)의 표면처리가 아래 구조식 7로 표시되는 화합물을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자성 나노복합체의 제조방법:[구조식 7]상기 구조식 7에서,R1은 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이고,q는 1 내지 10의 정수 중 어느 하나이다
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
제11항에 있어서,상기 단계 (d-1)의 표면처리가 아래 구조식 9로 표시되는 화합물을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자성 나노복합체의 제조방법:[구조식 9]상기 구조식 9에서,R2는 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이고,R3은 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이고,L은 원자가 결합 또는 메틸렌기이다
|
| 18 |
18
제11항에 있어서,상기 단계 (d-2)의 표면처리가 아래 구조식 10으로 표시되는 화합물을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자성 나노복합체의 제조방법:[구조식 10]상기 구조식 10에서,p는 0 내지 5의 정수 중 어느 하나이다
|
| 19 |
19
제11항에 있어서,상기 단계 (a)가(a-1) 금속염을 공침법을 사용하여 금속산화물 나노입자를 제조하는 단계; (a-2) 유기산 또는 그의 금속염과 상기 금속산화물 나노입자를 접촉시켜 상기 나노입자가 응집하여 형성된 자성 나노클러스터를 제조하는 단계; 및(a-3) 유기산을 포함하는 상기 자성 나노클러스터를 표면 처리하여 표면 상에 실리콘-산소 결합을 갖는 기()를 갖는 자성 나노클러스터를 포함하는 코어부를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 나노복합체의 제조방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 단계 (a-3)의 표면처리가 아래 구조식 7로 표시되는 화합물을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자성 나노복합체의 제조방법:[구조식 7]상기 구조식 7에서,R1은 수소원자 또는 C1 내지 C5의 알킬기이고,q는 1 내지 10의 정수 중 어느 하나이다
|
| 21 |
21
제1항에 따른 자성 나노복합체를 이용하여 도파민을 감지하는 도파민 감지방법
|
