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애노드, 캐소드 및 수광부를 포함하여 구성된 포토다이오드에 있어서,상기 수광부는 상기 애노드 및 상기 캐소드에 접하며 수직하게 배열된 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 수광부는 상기 애노드 및 상기 캐소드 상에서 반원통형으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 애노드와 상기 캐소드 사이에는 절연영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 애노드는 p형, 상기 캐소드는 n형, 상기 수광부는 진성 반도체이고,상기 절연영역은 pn 접합에 의한 공핑층으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 애노드는 p형 불순물의 고농도 접합층과 저농도 확산층으로 구성되고,상기 캐소드는 n형 불순물의 고농도 접합층과 저농도 확산층으로 구성되고,상기 p형 불순물의 저농도 확산층과 상기 n형 불순물의 저농도 확산층 사이에 상기 공핑층이 형성된 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 절연영역은 소정의 트렌치에 절연체로 채워진 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 6 항에 있어서,상기 애노드는 p형, 상기 캐소드는 n형, 상기 수광부는 진성 반도체이고,상기 절연체는 산화막으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 7 항에 있어서,상기 애노드는 p형 불순물의 고농도 접합층과 저농도 확산층으로 구성되고,상기 캐소드는 n형 불순물의 고농도 접합층과 저농도 확산층으로 구성되고,상기 p형 불순물의 저농도 확산층과 상기 n형 불순물의 저농도 확산층 사이에 상기 산화막이 일정 두께(x)로 형성된 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 8 항에 있어서,상기 수광부는 상기 산화막의 두께 중앙에서 일정 반경(r)을 갖는 반원통형으로 형성되고,상기 p형 불순물의 저농도 확산층과 상기 n형 불순물의 저농도 확산층의 두께는 각각 r-x/2로 같은 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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제 9 항에 있어서,상기 산화막의 두께(x)는 500 nm 미만인 것을 특징으로 하는 포토다이오드
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반도체 기판에 이온주입을 통해 애노드와 캐소드를 형성하는 제1단계;상기 반도체 기판 상에 수광 물질층을 형성하여 상기 애노드와 상기 캐소드 상에 반원통형 수광부를 형성하는 제2단계; 및상기 반도체 기판 상에 상기 반원통형 수광부를 커버하는 절연막을 증착하고 상기 애노드와 상기 캐소드를 전기적으로 연결하기 위한 배선공정 및 금속공정을 진행하는 제3단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 애노드는 p형 불순물의 고농도 접합층과 저농도 확산층으로 형성하고,상기 캐소드는 n형 불순물의 고농도 접합층과 저농도 확산층으로 형성하고,상기 반원통형 수광부는 상기 p형 불순물의 저농도 확산층과 상기 n형 불순물의 저농도 확산층이 커버되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 반원통형 수광부는 상기 p형 불순물의 저농도 확산층과 상기 n형 불순물의 저농도 확산층 사이에서 일정 반경(r)을 갖도록 형성하고,상기 p형 불순물의 저농도 확산층과 상기 n형 불순물의 저농도 확산층은 같은 두께 r로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법
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반도체 기판에 이온주입을 통해 애노드와 캐소드를 형성하는 제1단계;상기 애노드와 상기 캐소드 사이의 상기 반도체 기판에 트렌치를 형성하고 절연체로 채우는 제2단계; 상기 반도체 기판 상에 수광 물질층을 형성하여 상기 절연체를 중심으로 상기 애노드와 상기 캐소드 상에 반원통형 수광부를 형성하는 제3단계; 및상기 반도체 기판 상에 상기 반원통형 수광부를 커버하는 절연막을 증착하고 상기 애노드와 상기 캐소드를 전기적으로 연결하기 위한 배선공정 및 금속공정을 진행하는 제4단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 애노드는 p형 불순물의 고농도 접합층과 저농도 확산층으로 형성하고,상기 캐소드는 n형 불순물의 고농도 접합층과 저농도 확산층으로 형성하고,상기 반원통형 수광부는 상기 p형 불순물의 저농도 확산층과 상기 n형 불순물의 저농도 확산층이 커버되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 반원통형 수광부는 상기 절연체의 두께(x) 중앙에서 일정 반경(r)을 갖도록 형성되고,상기 p형 불순물의 저농도 확산층과 상기 n형 불순물의 저농도 확산층은 같은 두께 r-x/2로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법
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제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판이고,상기 수광 물질층은 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘 게르마늄, 게르마늄, 게르마늄 틴(게르마늄 주석) 및 이외 실리콘 집적공정 가능한 4족 원소 중 하나로 단일층 또는 반지름 방향(radial)으로 둘 이상의 이종접합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드의 제조방법
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