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전류집전체를 제공하는 과정;상기 전류집전체의 일 면상에 시드층을 형성하는 과정;상기 시드층 상에 보호막을 형성하는 과정; 및상기 보호막과 상기 시드층 사이에 리튬 금속층을 형성하는 과정;을 포함하는 음극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 시드층은 5 내지 50nm의 입도를 갖는 복수의 그레인으로 이루어지는 음극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 리튬 금속층을 형성하는 과정은 전착법으로 수행되는 음극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 리튬 금속층을 형성하는 과정은,리튬을 포함하는 금속재를 대향전극으로 제공하는 과정;상기 전류집전체, 시드층 및 보호막이 적층된 적층체를 작업전극으로 제공하는 과정; 및상기 대향전극 및 작업전극에 전류를 인가하는 과정을 포함하고,상기 전류를 인가하는 과정은 전류밀도를 0
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청구항 1에 있어서,상기 리튬 금속층은 두께방향을 따라 성장한 막대형상의 그레인으로 이루어진 음극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 시드층과 상기 보호막은 리튬을 포함하는 서로 다른 화합물로 이루어진 음극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 시드층은 상기 보호막보다 낮은 리튬이온 전도성을 가지는 음극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 시드층은 전자의 이동이 가능하고, 상기 보호막은 전자 절연성인 음극 제조방법
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전류집전체;상기 전류집전체의 일 면상에 제공되는 시드층;상기 시드층 상에 제공되는 리튬 금속층; 및상기 리튬 금속층의 상부에 제공되는 보호막;을 포함하는 음극
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청구항 9에 있어서,상기 시드층은 5 내지 50nm의 입도를 갖는 복수의 그레인으로 이루어진 음극
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청구항 10에 있어서,상기 복수의 그레인 각각의 입도는 상기 복수의 그레인의 평균입도의 0
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청구항 9에 있어서,상기 시드층의 두께는 10 내지 100㎚인 음극
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청구항 9에 있어서,상기 시드층과 상기 보호막은 리튬을 포함하는 서로 다른 화합물로 이루어진 음극
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청구항 9에 있어서,상기 시드층은 상기 보호막보다 낮은 리튬이온 전도성을 가지는 음극
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청구항 9에 있어서,상기 시드층은 전자의 이동이 가능하고, 상기 보호막은 전자 절연성인 음극
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청구항 9에 있어서,상기 리튬 금속층은 두께방향을 따라 성장한 막대형상의 그레인으로 이루어진 음극
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