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열전 반도체 소자에 있어서,상기 열전 반도체 소자는 측면에 절연층 패턴을 포함하고, 상면 및 하면에 각각 기능층을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 절연층은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)과 같은 무기 절연막이거나, 또는, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드-이미드, 아크릴 수지, PET 수지, 또는 에폭시 중 적어도 어느 하나로 구성되는 절연성 폴리머인 것인 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기능층은, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 철 및 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질로 이루어지거나, 또는, 주석(Sn) 및 납(Pb)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자
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열전 반도체 소자용 압출재를 제조하는 단계;상기 열전 반도체 소자용 압출재의 전면에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층이 형성된 열전 반도체 소자용 압출재를 일정 길이로 절단하여, 측면에 절연층 패턴을 포함하는 열전 반도체 소자를 제조하는 단계; 및측면에 절연층 패턴을 포함하는 열전 반도체 소자의 상면 및 하면에 각각 기능층을 형성하는 단계를 포함하는 열전 반도체 소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 절연층이 형성된 열전 반도체 소자용 압출재를 일정 길이로 절단하여, 측면에 절연층 패턴을 포함하는 열전 반도체 소자를 제조하는 단계는, 상면 및 하면에는 절연층 패턴이 포함되지 않은 열전 반도체 소자를 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 측면에 절연층 패턴을 포함하는 열전 반도체 소자의 상면 및 하면에 각각 기능층을 형성하는 것은, 도금법에 의해 형성하는 것인 열전 반도체 소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 도금법에 사용되는 도금장치는, 도금액(L)이 저장되는 도금조; 상기 도금조의 내부에 위치하는 드럼; 상기 드럼의 내부에 위치하는 제1전극; 상기 도금조의 내부에 위치하는 제2전극; 및 상기 드럼의 내부에 위치하는 전도성 볼을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 전도성 볼은 스테인리스 볼인 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 도금장치를 이용한 도금시간은 100분 내지 6시간인 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 절연층은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)과 같은 무기 절연막이거나, 또는, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드-이미드, 아크릴 수지, PET 수지, 또는 에폭시 중 적어도 어느 하나로 구성되는 절연성 폴리머이고, 상기 기능층은, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 철 및 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질로 이루어지거나, 또는, 주석(Sn) 및 납(Pb)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 드럼의 내부는 상기 전도성 볼과 함께, 절연특성을 지니는 절연성 볼을 포함히며, 상기 절연성 볼은 YTZ 볼(yttria stabilized zirconia 볼) 또는 알루미나 볼인 것을 특징으로 하는 열전 반도체 소자의 제조방법
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