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고분자 수지를 포함하는 매트릭스; 및상기 매트릭스에 분산된 금속-유기 골격 구조체(Metal-organic framework, MOF)를 포함하는 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 고분자 수지는 폴리이미드(Polyimide), 폴리설폰(Polysulfone), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리비닐리덴 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride, PVDF) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체는 금속 이온 또는 금속 이온의 클러스터; 및 이들을 연결하는 유기 리간드를 포함하는 것인 기체분리막
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제3항에 있어서,상기 금속 이온은 Zr, Hf, Cr, Ti, Al, Fe, Cu, Co, Mn, Mg, Ni 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 이온을 포함하는 것인 기체분리막
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제3항에 있어서,상기 유기 리간드는 방향족 디카르복실산, 방향족 트리카르복실산, 이미다졸계 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체는 UiO-66, UiO-66-NH2, UiO-67, MIL-101, MIL-125, MIL-53, MIL-100, HKUST-1, Co(fm)2, Mn(fm)2, Mg(fm)2 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체는 다공성 결정성 화합물이고, 기공의 평균 직경이 1nm 내지 10nm인 것인 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체는 비표면적이 100m2/g 이상인 것인 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체의 함량이 5중량% 내지 20중량%인 것인 기체분리막
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제1항에 있어서,두께가 100㎛ 이상인 것인 기체분리막
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고분자 수지의 단량체, 용매 및 금속-유기 골격 구조체를 포함하는 조성물을 준비하는 단계;상기 조성물을 기재상에 캐스팅하는 단계; 및고분자 수지의 단량체를 중합하는 단계를 포함하는 기체분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 고분자 수지의 단량체는 폴리이미드(Polyimide), 폴리설폰(Polysulfone), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리비닐리덴 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride, PVDF) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 고분자 수지의 단량체인 기체분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체는 금속 이온 또는 금속 이온의 클러스터; 및 이들을 연결하는 유기 리간드를 포함하는 것인 기체분리막의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 금속 이온은 Zr, Hf, Cr, Ti, Al, Fe, Cu, Co, Mn, Mg, Ni 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 이온을 포함하는 것인 기체분리막의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 유기 리간드는 방향족 디카르복실산, 방향족 트리카르복실산, 이미다졸계 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 기체분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체는 UiO-66, UiO-66-NH2, UiO-67, MIL-101, MIL-125, MIL-53, MIL-100, HKUST-1, Co(fm)2, Mn(fm)2, Mg(fm)2 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 기체분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체는 다공성 결정성 화합물이고, 기공의 평균 직경이 1nm 내지 10nm인 것인 기체분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속-유기 골격 구조체는 비표면적이 100m2/g 이상인 것인 기체분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 분리막은 금속-유기 골격 구조체를 5중량% 내지 20중량%로 포함하는 것인 기체분리막의 제조방법
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제11항에 있어서,기재상에 캐스팅한 조성물을 열처리하여 상기 고분자 수지의 단량체를 중합하는 것인 기체분리막의 제조방법
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