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양극 기판상에 정공전달층을 형성하는 단계 ; 상기 정공전달층 상에 페로브스카이트(Pervoskite) 전구체 용액을 코팅한 후 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 ; 상기 광흡수층 상에 전자전달층을 형성하는 단계 ; 상기 전자전달층 상에 음극 전극을 형성하는 단계를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법으로서, 상기 제조방법은 상기 정공전달층 형성 단계 후에 상기 정공전달층의 고분자에 비해 더 낮은 HOMO 준위를 갖는 소수성 유기 고분자를 상기 정공전달층 상에 코팅하는 표면 개질 단계를 포함하고, 상기 소수성 유기 고분자는 poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b]dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]](이하, PTB7), Poly([2,6′4,8-di(5-ethylhexylthienyl)benzo[1,2-b;3,3-b]dithiophene]{3-fluoro-2[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl})(이하, PTB7-Th)이고, 상기 정공전달층의 표면 개질 단계는 용매에 상기 소수성 유기 고분자를 2mg/mL 이상 4mg/mL 미만으로 혼합하는 단계 및 혼합된 용액을 상기 정공전달층 상에 스핀 코팅한 후 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 정공전달층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-폴리스티렌설포네이트[poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrenesulfonate,PEDOT-PSS], 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine, CuPC), 폴리티오페닐렌비닐렌(polyhiophenylenevinylene), 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리파라페닐렌비닐렌(polypphenylenevinylene) 및 폴리메틸페닐실란(poly(methylphenylsilane)) 으로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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