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챔버;상기 챔버의 상부에 배치되고, 기판이 지지되는 샘플 홀더; 및상기 챔버 내에 배치되며, 상기 기판 상에 증착면을 형성할 수 있는 타겟이 지지되는 스퍼터건을 포함하되,상기 스퍼터건은,상기 스퍼터건의 중심에 배치된 제1 영구자석; 및상기 제1 영구자석과 이격되고, 상기 제1 영구자석의 둘레에 일정한 간격으로 형성되는 복수의 제2 영구자석을 포함하고,상기 제1 영구자석의 표면, 복수의 상기 제2 영구자석의 표면, 상기 제1 영구자석의 표면과 인접한 측면, 및 복수의 상기 제2 영구자석의 표면과 인접한 측면이 외부로 노출되며,상기 제1 영구자석 및 복수의 상기 제2 영구자석의 노출된 측면을 감싸도록 방열층이 배치된 것을 포함하는 스퍼터링 장치
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제1 항에 있어서,상기 스퍼터건은, 상기 증착면에 대하여 30° 초과 40° 미만의 각도로 정렬되는 것을 포함하는 스퍼터링 장치
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제1 항에 있어서,상기 기판은, 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)를 포함하는 스퍼터링 장치
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제1 항에 있어서,상기 타겟은, 스트론튬 망가네이트(SrMnO3)를 포함하는 스퍼터링 장치
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제1 항에 있어서,상기 타겟에 RF 파워를 인가하는 RF 파워 공급부;상기 챔버 내에 플라즈마 가스를 공급하는 가스 주입구; 및상기 챔버 내의 상기 플라즈마 가스를 제거하는 가스 배출구를 포함하는 스퍼터링 장치
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제1 항에 있어서,상기 스퍼터건은, 상기 제1 영구자석과 복수의 상기 제2 영구자석 사이에 배치된 냉각 라인을 포함하는 스퍼터링 장치
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샘플 홀더 상에 제1 금속산화물을 포함하는 기판을 배치하고, 상기 기판의 증착면에 30° 초과 40° 미만의 각도로 정렬된 스퍼터건 상에 제2 금속산화물을 포함하는 타겟을 제공하는 단계; 및상기 타겟에 파워를 인가하여, 상기 기판 상에 상기 타겟으로부터 상기 제2 금속산화물을 포함하는 에피택셜 박막을 제조하는 단계를 포함하되,상기 스퍼터건은,상기 스퍼터건의 중심에 배치된 제1 영구자석; 및상기 제1 영구자석과 이격되고, 상기 제1 영구자석의 둘레에 일정한 간격으로 형성되는 복수의 제2 영구자석을 포함하고,상기 제1 영구자석의 표면, 복수의 상기 제2 영구자석의 표면, 상기 제1 영구자석의 표면과 인접한 측면, 및 복수의 상기 제2 영구자석의 표면과 인접한 측면이 외부로 노출되며,상기 제1 영구자석 및 복수의 상기 제2 영구자석의 노출된 측면을 감싸도록 방열층이 배치된 것을 포함하는 금속산화물 스퍼터링 타겟을 이용한 에피택셜 박막의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 에피택셜 박막을 제조하는 단계는, 25
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제7 항에 있어서,상기 에피택셜 박막을 제조하는 단계는, 750℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 포함하는 금속산화물 스퍼터링 타겟을 이용한 에피택셜 박막의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 에피택셜 박막을 제조하는 단계는, 135mTorr 이상의 공정 압력에서 수행되는 것을 포함하는 금속산화물 스퍼터링 타겟을 이용한 에피택셜 박막의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 기판은, (001)면으로 정렬된 상기 제1 금속산화물을 포함하고,상기 에피택셜 박막은, 엑스선 회절 패턴에서 (002)면과 (003)면을 모두 포함하는 금속산화물 스퍼터링 타겟을 이용한 에피택셜 박막의 제조 방법
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