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탄화수소계 고분자 중 어느 하나를 주쇄로 가지고,하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 상기 주쇄에 결합되는 측쇄로 포함하는 것을 특징으로 하는 술폰화 가지형 고분자:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서 L1 및 L2는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -SO2-, -C=O-, -C(CH3)2- 또는 -C(CF3)2- 중 어느 하나이고,R1 및 R2는 각각 독립적으로 -SO3M 또는 -SO3H이되, 이때 M은 Li, Na 또는 K 중 어느 하나이며,a, 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 4이고,x는 반복단위로 1 내지 5,000의 정수이며,E는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 치환 또는 비치환 페닐기, -CN 또는 -NO2 치환기를 가지는 페닐기, , , 중 어느 하나의 비반응성 말단기이고, R은 , , 할로겐기, 알콜기, 또는 티올기에서 유래된 연결구조 중 어느 하나의 반응성 말단기이다
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청구항 1에 있어서,상기 탄소수소계 고분자의 주쇄는 하기 화학식 2의 화학구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 술폰화 가지형 고분자:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서 L3 및 L4는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -SO2-, -C(O)-, -C(CH3)2- 또는 -C(CF3)2- 중 어느 하나이고,R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄, 분지쇄 또는 CN기를 포함하는 알킬기 또는 알킬렌기이고, c, 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 4이고, e는 0 내지 3이고,R6는 연결기로 티올기(-SH), 아민기(-NH-), 페놀기(-PhOH) 또는 알콜기(-OH)에서 유래된 화학구조 중 어느 하나이고, y는 반복단위로 1 내지 5,000의 정수이다
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청구항 2에 있어서,상기 술폰화 가지형 고분자는 주쇄 내에 상기 화학식 2로 표시되고 측쇄가 결합되지 않은 반복단위를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 술폰화 가지형 고분자
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청구항 3에 있어서,상기 술폰화 가지형 고분자의 주쇄는 하기 화학식 3의 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 술폰화 가지형 고분자:003c#화학식 3003e#상기 화학식 3에서 L3 내지 L6는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -SO2-, -C=O-, -C(CH3)2- 또는 -C(CF3)2- 중 어느 하나이고,R3 내지 R5 및 R7, R8는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄 또는 CN기를 포함하는 알킬기 또는 알킬렌기이고, c, d, f, g는 각각 독립적으로 0 내지 4이고, e는 0 내지 3이고,R6는 연결기로 티올기(-SH), 아민기(-NH-), 페놀기(-PhOH) 또는 알콜기(-OH)에서 유래된 화학구조 중 어느 하나이고, y 및 z는 반복단위로 y+z는 1 내지 5,000의 정수이며,E는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 치환 또는 비치환 페닐기, -CN 또는 -NO2 치환기를 가지는 페닐기, , , 중 어느 하나의 비반응성 말단기이다
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탄화수소계 고분자 중 어느 하나를 주쇄로 준비하는 단계;하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 상기 주쇄에 측쇄로서 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 술폰화 가지형 고분자의 제조방법:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서 L1 및 L2는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -SO2-, -C=O-, -C(CH3)2- 또는 -C(CF3)2- 중 어느 하나이고,R1 및 R2는 각각 독립적으로 -SO3M 또는 -SO3H이되, 이때 M은 Li, Na 또는 K 중 어느 하나이며,a, 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 4이고,x는 반복단위로 1 내지 5,000의 정수이며,E는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 치환 또는 비치환 페닐기, -CN 또는 -NO2 치환기를 가지는 페닐기, , , 중 어느 하나의 비반응성 말단기이고, R은 , , 할로겐기, 알콜기, 또는 티올기에서 유래된 연결구조 중 어느 하나의 반응성 말단기이다
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청구항 5에 있어서,상기 탄화수소계 고분자의 주쇄는 하기 화학식 2의 화학구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 술폰화 가지형 고분자의 제조방법:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2에서 L3 및 L4는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -SO2-, -C(O)-, -C(CH3)2- 또는 -C(CF3)2- 중 어느 하나이고,R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄, 분지쇄 또는 CN기를 포함하는 알킬기 또는 알킬렌기이고, c, 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 4이고, e는 0 내지 3이고,R6는 연결기로 티올기(-SH), 아민기(-NH-), 페놀기(-PhOH) 또는 히드록시기(-OH)에서 유래된 화학구조 중 어느 하나이고, y는 반복단위로 1 내지 5,000의 정수이다
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청구항 6에 있어서,상기 술폰화 가지형 고분자의 주쇄는 하기 화학식 3의 화학구조를 가지는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 술폰화 가지형 고분자의 제조방법:003c#화학식 3003e#상기 화학식 3에서 L3 내지 L6는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -SO2-, -C=O-, -C(CH3)2- 또는 -C(CF3)2- 중 어느 하나이고,R3 내지 R5 및 R7, R8는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄 또는 CN기를 포함하는 알킬기 또는 알킬렌기이고, c, d, f, g는 각각 독립적으로 0 내지 4이고, e는 0 내지 3이고,R6는 연결기로 티올기(-SH), 아민기(-NH-), 페놀기(-PhOH) 또는 히드록시기(-OH)에서 유래된 화학구조 중 어느 하나이고, y 및 z는 반복단위로 y+z는 1 내지 5,000의 정수이며,E는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 치환 또는 비치환 페닐기, -CN 또는 -NO2 치환기를 가지는 페닐기, , , 중 어느 하나의 비반응성 말단기이다
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 술폰화 가지형 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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청구항 8에 있어서,상기 고분자 전해질 막은 연료전지, 이차전지, 레독스 흐름 전지 또는 수전해용 전해질 막인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
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청구항 8의 고분자 전해질 막을 포함하는 장치로서,연료전지, 이차전지, 레독스 흐름 전지 또는 수전해 장치 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 장치
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