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마이크로스트립형 아이솔레이터를 제조하는 방법으로, 페라이트 기판의 제1면에 써큘레이터 금속층을 형성하고 제2면에 후면금속층을 형성하고, 상기 써큘레이터 금속층의 포트들 중 하나에 연결되는 제1 그라운드 패드를 형성하여 써큘레이터 파트를 제작하는 단계;반도체 기판의 제1면에 제2 그라운드 패드를 형성하고 제2면에 후면금속층을 형성하고, 상기 제2 그라운드 패드와 후면금속층을 전기적으로 연결하기 위한 비아홀 및 내경금속층을 형성하여 비아홀 파트를 제작하는 단계; 및상기 제작된 써큘레이터 파트와 비아홀 파트를 결합하기 위해, 상기 비아홀 파트 위에 상기 써큘레이터 파트를 뒤집어 올려서 상기 써큘레이터 파트의 제1 그라운드 패드와 상기 비아홀 파트의 제2 그라운드 패드를 전기적으로 연결하는 플립칩본딩 단계를 포함하는, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 써큘레이터 파트 제작 단계의상기 페라이트 기판은 Ferrimagnetism 특성을 갖는, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 써큘레이터 파트 제작 단계는, 상기 제1 그라운드 패드에 연결된 써큘레이터 금속층의 포트를 종단처리하기 위하여 상기 제1 그라운드 패드와 상기 포트 사이에 전기적으로 연결되는 박막형 저항층을 형성하는 것을 추가로 포함하는, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 써큘레이터 파트 제작 단계에서 상기 써큘레이터 금속층과 제1 그라운드 패드를 형성하기 위하여, 써큘레이터 금속층과 제1 그라운드 패드룰 형성할 영역에 각각 1차로 금속박막층을 증착하고, 상기 1차 증착된 금속박막층에 금속도금층을 형성하는 것을 포함하는, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 써큘레이터 파트 제작 단계는 하나의 페라이트 기판 상에 다수의 써큘레이터 파트를 형성하도록 수행되고, 이렇게 형성된 다수의 써큘레이터 파트를 절단하여 각기 분리하는 것을 추가로 포함하는, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비아홀 파트 제작 단계에서상기 반도체 기판은 Si 및 GaAs 중 하나의 재료로 만들어진, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비아홀 파트 제작 단계에서 상기 반도체기판의 제1면의 제2 그라운드 패드와 제2면의 후면금속층을 형성하기 위하여, 제2 그라운드 패드와 후면금속층을 형성할 영역에 각각 1차로 금속박막층을 증착하고, 상기 1차 증착된 금속박막층에 금속도금층을 형성하는 것을 포함하는, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비아홀 파트 제작 단계는 상기 써큘레이터 파트의 써큘레이터 금속층에 상응하는 위치에 마그넷 관통홀을 형성하는 것을 추가로 포함하고, 상기 플립칩본딩 단계는 상기 마그넷 관통홀이 형성된 비아홀 파트에 상기 써큘레이터 파트를 뒤집어 올려서 상기 써큘레이터 파트의 제1 그라운드 패드와 상기 비아홀 파트의 제2 그라운드 패드를 대면시켜서 전기적으로 연결하는 것을 포함하는, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 써큘레이터 파트를 지지하기 위하여 상기 비아홀 파트와 써큘레이터 파트 사이에 스페이서를 끼우는 것을 추가로 포함하는, 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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페라이트 기판의 제1면에 형성된 써큘레이터 금속층, 제2면에 형성된 후면금속층, 및 상기 써큘레이터 금속층의 포트들 중 하나에 연결된 제1 그라운드 패드를 포함하는 써큘레이터 파트; 및반도체 기판의 제1면에 형성된 제2 그라운드 패드, 제2면에 형성된 후면금속층, 그리고 상기 제2 그라운드 패드와 후면금속층을 전기적으로 연결하기 위한 비아홀 및 내경금속층을 포함하는 비아홀 파트를 포함하며,상기 써큘레이터 파트는 상기 비아홀 파트 위에 플립칩 본딩 방식으로 결합되어 상기 써큘레이터 파트의 제1 그라운드 패드와 상기 비아홀 파트의 제2 그라운드 패드가 대면 접합된 것을 특징으로 하는 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 상기 써큘레이터 파트의 페라이트 기판은 Ferrimagnetism 특성을 갖는 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 상기 써큘레이터 파트는 상기 제1 그라운드 패드에 연결된 써큘레이터 금속층의 포트를 종단처리하기 위하여 상기 제1 그라운드 패드와 상기 포트 사이에 전기적으로 연결되는 박막형 저항층을 추가로 포함하는 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 상기 비아홀 파트의 상기 반도체 기판은 Si 및 GaAs 중 하나의 재료로 만들어진 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 상기 비아홀 파트는 상기 써큘레이터 파트의 써큘레이터 금속층에 상응하는 위치에 형성된 마그넷 관통홀을 추가로 포함하는 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제14항에 있어서, 상기 써큘레이터 파트를 지지하기 위하여 상기 비아홀 파트와 써큘레이터 파트 사이에 끼워진 스페이서를 추가로 포함하는 마이크로스트립형 아이솔레이터
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