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페라이트 기판의 제1면에 형성된 써큘레이터 금속층, 상기 써큘레이터 금속층의 포트들 중 하나와 로드저항을 통해 연결되는 전면 그라운드 패드, 그리고 상기 로드저항에 인접하여 형성된 히트싱크 금속층을 포함하는 마이크로스트립형 아이솔레이터를 제조하는 방법으로, 상기 페라이트 기판의 제1면에 전면 그라운드 패드 및 히트싱크 금속층이 형성될 영역에 각각 전면 그라운드 패드의 비아홀과 히트싱크 금속층의 비아홀을 형성하기 위해 상기 영역을 비아홀 형상으로 제거하는 단계;상기 페라이트 기판의 제1면에 써큘레이터의 포트들 중 하나의 종단처리를 위한 로드저항을 형성하는 단계;상기 페라이트 기판의 제1면의 써큘레이터 영역, 전면 그라운드 패드 영역, 그리고 히트싱크 금속층 영역에 각각 써큘레이터 금속층, 전면 그라운드 패드, 히트싱크 금속층을 형성하는 단계; 및상기 페라이트 기판의 제2면에 후면금속층을 형성하고, 이 후면금속층이 상기 전면 그라운드 패드 및 히트싱크 금속층에 전기적으로 연결되도록 상기 전면 그라운드 패드의 비아홀 및 상기 히트싱크 금속층의 비아홀의 내경금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 하나의 페라이트 기판에 다수의 상기 마이크로스트립형 아이솔레이터가 제조되고, 제조된 다수의 마이크로스트립형 아이솔레이터를 절단하여 분리하는 단계를 추가로 포함하는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제작된 마이크로스트립형 아이솔레이터를 패키징하기 위하여, 유텍틱본딩(eutectic-bonding)을 이용하여 상기 제작된 마이크로스트립형 아이솔레이터를 그라운드 금속면에 접합하는 단계를 추가로 포함하는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 유텍틱본딩에서 Au-Sn유텍틱본딩 공정이 이용되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 페라이트 기판은 Ferrimagnetism 특성을 갖는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비아홀 형상으로의 기판 제거를 위해 레이저드릴링(Laser drilling)이 사용되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비아홀 형상으로의 기판 제거를 위해 식각 기법이 사용되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 페라이트 기판의 제1면에 써큘레이터 금속층, 전면 그라운드 패드, 및 히트싱크 금속층을 형성하는 단계에서, 상기 써큘레이터 금속층, 전면 그라운드 패드, 및 히트싱크 금속층을 형성할 영역에 각각 1차로 금속박막층을 증착하고 상기 1차 증착된 금속박막층에 금속도금층을 형성하는 것을 포함하는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 페라이트 기판의 제2면에 후면금속층을 형성하는 단계에서 상기 후면금속층을 형성할 영역에 각각 1차로 금속박막층을 증착하고 상기 1차 증착된 금속박막층에 금속도금층을 형성하는 것을 포함하는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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페라이트 기판의 제1면에 형성된 써큘레이터 금속층, 상기 써큘레이터 금속층의 포트들 중 하나와 로드저항을 통해 연결되는 전면 그라운드 패드, 상기 전면 그라운드 패드 및 여기에 형성된 비아홀, 상기 로드저항에 인접하여 형성된 히트싱크 금속층 및 여기에 형성된 비아홀, 및상기 페라이트 기판의 제2면에 형성된 후면금속층을 포함하되,상기 후면금속층은 상기 전면 그라운드 패드의 비아홀 및 상기 히트싱크 금속층의 비아홀을 통해 상기 전면 그라운드 패드 및 상기 히트싱크 금속층에 연결되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 상기 페라이트 기판은 Ferrimagnetism 특성을 갖는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 하나의 페라이트 기판에 다수의 상기 마이크로스트립형 아이솔레이터가 제조되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 상기 전면 그라운드 패드의 비아홀 및 상기 히트싱크 금속층의 비아홀은레이저드릴링을 사용해 페라이트 기판의 비아홀 영역을 제거하여 형성되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 상기 전면 그라운드 패드의 비아홀 및 상기 히트싱크 금속층의 비아홀은식각공정 사용해 페라이트 기판의 비아홀 영역을 제거하여 형성되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 있어서, 상기 페라이트 기판의 제1면의 써큘레이터 금속층, 전면 그라운드 패드, 및 히트싱크 금속층은상기 써큘레이터 금속층, 전면 그라운드 패드, 및 히트싱크 금속층을 형성할 영역에 각각 1차로 금속박막층을 증착하고 상기 1차 증착된 금속박막층에 금속도금층을 형성하여 형성되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 페라이트 기판의 제2면의 후면금속층은상기 후면금속층을 형성할 영역에 1차로 금속박막층을 증착하고 상기 1차 증착된 금속박막층에 금속도금층을 형성하여 형성되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터
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제10항에 기재된 마이크로스트립형 아이솔레이터를 유텍틱본딩(eutectic-bonding)을 이용하여 그라운드 금속면에 접합하여 제조된, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 패키지
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제17항에 있어서, 상기 유텍틱본딩에서 Au-Sn유텍틱본딩 공정이 이용되는, 히트싱크가 포함된 마이크로스트립형 아이솔레이터 패키지
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