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(a) Ti 분말 및 활성제 분말의 혼합물을 형성하는 단계;(b) 상기 혼합물에 유전체 기판을 잠기게 하는 단계; (c) 불활성 분위기 또는 환원 분위기에서 가열하여 상기 유전체 기판의 표면에 Ti 함유층을 형성하는 단계;(d) 상기 Ti 함유층 상에 금속층을 전해 도금하는 단계; 및 (e) 상기 유전체 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 금속층은, Cu, Ni, Fe, Co, Cr, Zn, Au, Ag, Pt, Pd, Rh 또는 이들의 합금이고,상기 (d) 단계 이후에 적어도 한번의 열처리가 수행되는 단계를 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리가 수행되는 단계는,(e) 단계 이후에,상기 금속 패턴이 형성된 유전체 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리가 수행되는 단계는,상기 (d) 단계 이후 상기 (e) 단계를 수행하기 전에,상기 금속층이 형성된 유전체 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는,회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 Fe-Ni 합금층 또는 Ni-Cr 합금층을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 Fe-Ni 합금층은 INVAR 합금을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 Ni-Cr 합금층은 니크롬 합금을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 Fe, Ni 및 Co 중 어느 하나 이상으로 이루어지는 연자성 박막을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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8
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 가열하는 온도는 500 내지 1200℃ 인 것을 특징으로 하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 활성제는 염화물, 불화물 및 요오드화물로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상인, 회로 기판의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 염화물로는 NaCl, KCl, LiCl, CaCl2, BaCl2 및 NH4Cl로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 불화물로는 NaF, KF, LiF, MgF2, CaF2, BaF2 및 NH4F로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 요오드화물로는 NaI, KI, LiI, MgI2, CaI2, BaI2 및 NH4I 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 활성제의 양은, 상기 Ti 분말 100 중량부 대비 0
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제 1 항에 있어서, 상기 가열 시간은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 열처리 온도는 400 내지 1000℃ 인 것을 특징으로 하는 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 열처리 시간은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 환원성 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유전체 기판은 질화물인 것을 특징으로 하는 회로 기판의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 질화물은 AlN, Si3N4 및 BN 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판의 제조 방법
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