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마이크로파 여기 플라즈마를 이용한 탄화규소 게이트 산화막 열처리 장치

  • 기술번호 : KST2021012082
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SiC 기판 상에 질화 처리된 산화막을 형성하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 챔버 내에 SiC 기판을 제공하는 단계; 상기 챔버 내로 질소 및 산소의 혼합가스 또는 공기를 포함하는 가스를 유입하는 단계; 상기 유입된 가스를 마이크로파로 여기하여 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 상기 SiC 기판을 상기 플라즈마의 활성화 된 종에 노출시켜 상기 SiC 기판 표면에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 SiC 기판 처리 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/04 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/049(2013.01) H01L 21/02126(2013.01) H01L 21/02236(2013.01) H01L 21/67098(2013.01) H01J 37/32357(2013.01)
출원번호/일자 1020200041724 (2020.04.06)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0123908 (2021.10.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문정현 경상남도 김해시 율하*로 **, *
2 정순신 경상남도 김해시 율하*로 ***, *
3 곽지혜 부산광역시 연제구
4 방욱 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0356857-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.12.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5288766-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 내에 SiC 기판을 제공하는 단계;상기 챔버 내로 질소 및 산소 혼합가스 또는 공기를 포함하는 가스를 유입하는 단계;상기 유입된 가스를 마이크로파로 여기하여 플라즈마를 발생시키는 단계; 및상기 SiC 기판을 상기 플라즈마의 활성화 된 종에 노출시켜 상기 SiC 기판 표면에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 SiC 기판 처리 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화막 형성 단계는 900 ℃이상의 공정 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SiC 기판 처리 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 산화막 형성 단계는 0
4 4
마이크로파를 발생하는 마이크로파 발생기; 및상기 마이크로파 발생기에 결합되며, 기판의 재치 공간을 제공하며, 질소 또는 산소를 포함하는 혼합 가스를 유입하기 위한 유입 포트를 구비하여, 유입된 가스로부터 플라즈마를 발생하여 상기 기판을 일괄로 처리하기 위한 플라즈마 챔버를 구비하는 플라즈마 반응기;를 포함하는 SiC 기판 처리 장치
5 5
제3항에 있어서,상기 플라즈마는 산소 활성종을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 기판 처리 장치
6 6
제4항에 있어서,상기 플라즈마는 NOx 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 기판 처리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 차세대 고효율 국가전력망 기술 개발 스마트 전자기파 선택가열 핵심기술 개발