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복수의 나노-섬 구조체가 구비된 기판 및 상기 기판 상에 형성된 발광 구조체를 포함하고, 상기 나노-섬 구조체는, 상기 기판 상에 증착된 무기물층의 디웨팅(dewetting) 과정을 통해 형성되되, 상기 증착된 무기물층의 두께, 상기 디웨팅 과정에서의 온도 조건 및 습도 조건 중 적어도 하나에 의해 직경(diameter) 및 높이(height)가 결정되는 것을 특징으로 하는유기 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체는, 상기 기판 상에 50nm 내지 10nm의 두께로 증착된 무기물층의 상기 디웨팅 과정을 통해 형성되고,상기 증착된 무기물층은, 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체는, 30℃의 온도와 60%의 상대습도의 환경에서 상기 증착된 무기물층에 대한 상기 디웨팅 과정을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는유기 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은, 상기 나노-섬 구조체의 공기 중 노출을 차단하는 패시베이션층(passivation layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 발광 구조체는, 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 애노드 전극, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는유기 발광소자
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제5항에 있어서,상기 발광 구조체는,상기 기판 및 상기 애노드 전극 사이에 형성된 금속 박막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자
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제5항에 있어서, 상기 정공 수송층은, 상기 애노드 전극의 인접면에 형성된 제1 정공 수송층, 상기 제1 정공 수송층 상에 형성된 정공 생성층 및 상기 정공 생성층 상에 형성된 제2 정공 수송층을 포함하는 유기 발광소자
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기판 상에 복수의 나노-섬 구조체를 형성하는 단계 및 상기 기판 상에 발광 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 증착된 무기물층의 디웨팅(dewetting) 과정을 통해 상기 나노-섬 구조체를 형성하되, 상기 증착된 무기물층의 두께, 상기 디웨팅 과정에서의 온도 조건 및 습도 조건 중 적어도 하나에 의해 상기 나노-섬 구조체의 직경(diameter) 및 높이(height)가 결정되는 것을 특징으로 하는유기 발광소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 염화 세슘(CsCl), 플루오린화 세슘(CsF), 아이오딘화 세슘(CsI), 브롬화 세슘(CsBr), 염화 칼슘(CaCl2) 및 염화 란탄(LaCl3) 중 적어도 하나를 포함하는 무기물층을 상기 기판 상에 50nm 내지 10nm의 두께로 증착하고, 상기 증착된 무기물층의 상기 디웨팅 과정을 수행하여 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 30℃의 온도와 60%의 상대습도의 환경에서 상기 증착된 무기물층에 대한 상기 디웨팅 과정을 수행하여 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는유기 발광소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 나노-섬 구조체를 형성하는 단계는, 상기 나노-섬 구조체의 공기 중 노출을 차단하는 패시베이션층(passivation layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는유기 발광소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 발광 구조체는, 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 애노드 전극, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 캐소드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는유기 발광소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 발광 구조체는,상기 기판 및 상기 애노드 전극 사이에 형성된 금속 박막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광소자의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 정공 수송층은, 상기 애노드 전극의 인접면에 형성된 제1 정공 수송층, 상기 제1 정공 수송층 상에 형성된 정공 생성층 및 상기 정공 생성층 상에 형성된 제2 정공 수송층을 포함하는 유기 발광소자의 제조방법
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