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수평 방향으로 서로 이격되어 배치된 복수 개의 하부 전극;상기 하부 전극과 수직 방향으로 이격되어 배치된 플로팅 상부 전극; 및상기 하부 전극과 상기 플로팅 상부 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하는, 전기화학발광 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극은 애노드 및 캐소드를 포함하는 것인, 전기화학발광 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 플로팅 상부 전극은 전원이 연결되지 않은 플로팅 전극인 것인, 전기화학발광 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 발광층에 전위차를 인가하고, 상기 플로팅 상부 전극을 대전시키는 것인, 전기화학발광 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 플로팅 상부 전극과 대향하는 상기 하부 전극의 면적만큼 면발광이 일어나는 것인, 전기화학발광 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 애노드 및 상기 캐소드 사이의 폭은 1 μm 내지 10000 μm인 것인, 전기화학발광 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극과 상기 플로팅 상부 전극 사이의 거리는 1 μm 내지 10000 μm인 것인, 전기화학발광 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 플로팅 상부 전극은 ITO (indium tin oxide), FTO (fluorine doped tin oxide) 또는 AZO (aluminum doped zinc oxide)를 포함하는 투명 산화물 전극; PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리아닐린(PANI), 폴리피롤(PPy), PPV (Poly(p-phenylene vinylene)), PAC (Poly(acetylene)s) 또는 PPS (poly(p-phenylene sulfide))를 포함하는 전도성 고분자; CNT 또는 그래핀을 포함하는 탄소나노재료, 또는 금속 나노와이어를 포함하는 나노 재료; 및 반투명 금속 중에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 전기화학발광 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 발광층은 발광 물질 및 전해질을 포함하는 것인, 전기화학발광 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 애노드 및 상기 캐소드 각각은 하나 이상이며,상기 하나 이상의 애노드 및 상기 하나 이상의 캐소드는 서로 교대로 배치되는 것인, 전기화학발광 디바이스
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11
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극의 하부에 배치되는 하부 기판; 및/또는상기 상부 전극의 상부에 배치되는 상부 기판을 추가 포함하는, 전기화학발광 디바이스
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제 1 항에 따른 전기화학발광 디바이스를 포함하는, 형태 가변형 기기
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