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게르마늄(Ge) 기판을 준비하는 단계;상기 게르마늄(Ge) 기판에 육방정계 질화붕소(h-BN)를 면적을 제어하여 증착하는 단계; 및상기 육방정계 질화붕소(h-BN)가 부분적으로 형성된 게르마늄(Ge) 기판에 탄소원을 투입하여 육방정계 질화붕소(h-BN)가 없는 기판 표면에 그래핀을 증착시키는 단계;를포함하고,상기 게르마늄(Ge) 기판에 육방정계 질화붕소(h-BN)를 면적을 제어하여 증착하는 단계;에서육방정계 질화붕소(h-BN)의 면적의 제어는 질화붕소 증착시간을 제어하는 것이고,상기 질화붕소 증착시간 제어는 증착면적과의 관계식 1에 따라 제어하는 것이고,상기 게르마늄(Ge) 기판에 육방정계 질화붕소(h-BN)를 면적을 제어하여 증착하는 단계; 및 상기 육방정계 질화붕소(h-BN)가 부분적으로 형성된 게르마늄(Ge) 기판에 탄소원을 투입하여 육방정계 질화붕소(h-BN)가 없는 기판 표면에 그래핀을 증착시키는 단계;는 화학기상증착법(CVD)으로 이루어지는, 육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 2차원 복합소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화붕소 증착시간은 20분 내지 120분인, 육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 2차원 복합소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게르마늄(Ge) 기판에 육방정계 질화붕소(h-BN)를 면적을 제어하여 증착하는 단계;는CVD 챔버 내에 위치한 질화붕소(h-BN)의 재료인 암모니아-보레인(ammonia-borane)의 온도를 50 내지 150℃로 승온시켜 증착하는 단계인, 육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 2차원 복합소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게르마늄(Ge) 기판에 육방정계 질화붕소(h-BN)를 면적을 제어하여 증착하는 단계;는상기 육방정계 질화붕소(h-BN) 증착은 화학기상증착법(CVD)으로 이루어지며,CVD 챔버 내에 위치한 게르마늄(Ge) 기판의 온도를 800 내지 1000℃로 승온시켜 증착하는 단계인, 육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 2차원 복합소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소(h-BN)가 부분적으로 형성된 게르마늄(Ge) 기판에 탄소원을 투입하여 육방정계 질화붕소(h-BN)가 없는 기판 표면에 그래핀을 증착시키는 단계;에서상기 탄소원은 메탄(CH4), 에탄(C2H5), 프로판(C3H8), 헥산(C5H12), 에틸렌(C2H4), 벤젠, PMMA, 폴리스티렌, 메탄올(CH3OH), 에탄올(C2H5OH) 및 아세틸렌(C2H2)로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상인, 육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 2차원 복합소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소(h-BN)가 부분적으로 형성된 게르마늄(Ge) 기판에 탄소원을 투입하여 육방정계 질화붕소(h-BN)가 없는 기판 표면에 그래핀을 증착시키는 단계;는CVD 챔버 내에 그래핀의 재료인 탄소원의 유량을 1 내지 100sccm으로 제어하여 증착하는 단계인, 육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 2차원 복합소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소(h-BN)가 부분적으로 형성된 게르마늄(Ge) 기판에 탄소원을 투입하여 육방정계 질화붕소(h-BN)가 없는 기판 표면에 그래핀을 증착시키는 단계;에서그래핀을 증착시키는 시간은 180분 이하인, 육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 2차원 복합소재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소(h-BN)가 부분적으로 형성된 게르마늄(Ge) 기판에 탄소원을 투입하여 육방정계 질화붕소(h-BN)가 없는 기판 표면에 그래핀을 증착시키는 단계;에서,그래핀 증착 온도는 700 내지 1500℃인, 육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 2차원 복합소재의 제조방법
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