| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 중합단위를 포함하는 고분자:[화학식 1]화학식 1에서, D1은 전자 주개 단량체 단위이고,A1은 전자 받개 단량체 단위로서, 하기 화학식 2a 또는 2b로 표시되는 단량체 단위이며,[화학식 2a][화학식 2b]상기 화학식 2a 및 2b에서, X1 및 X2는 각각 독립적으로 Cl, Br 및 I로 이루어진 군에서 선택된 하나이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알키닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, N, O, S, Se, 및 Te로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 환원자로 가지고 환원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기, 시아노기, 할로겐기, 붕소기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 플루오레닐기, 카바졸기, 싸이오닐기 또는 실릴기이며,여기서, 아릴기 및 헤테로아릴기는 술폭시기, 아민기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환되거나 비치환될 수 있고,알킬기, 알케닐기 및 알키닐기는 아민기, 사이오기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환되거나 비치환될 수 있으며,Q1 내지 Q3는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 및 NR5으로 이루어진 군에서 선택된 하나이고,상기 R5은 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다
|
| 2 |
2
하기 화학식 3a 및 화학식 3b로 표시되는 중합단위로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 고분자:[화학식 3a][화학식 3b]화학식 3a 및 3b에서, D1 및 D2는 각각 독립적으로 전자 주개 단량체 단위이고,A1은 전자 받개 단량체 단위이며, X1 내지 X4는 각각 독립적으로 Cl, Br 및 I로 이루어진 군에서 선택된 하나이고, Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 및 NR5으로 이루어진 군에서 선택된 하나이며,상기 R5은 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서, 전자 주개 단량체 단위는 하기 화학식 4a 내지 4h로 표시되는 단량체 단위로 이루어진 군에서 선택된 하나인 고분자:[화학식 4a][화학식 4b][화학식 4c][화학식 4d][화학식 4e][화학식 4f][화학식 4g][화학식 4h]화학식 4a 내지 4h에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알키닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, N, O, S, Se, 및 Te로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 환원자로 가지고 환원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기, 시아노기, 할로겐기, 붕소기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 플루오레닐기, 카바졸기, 싸이오닐기 또는 실릴기이고,여기서, 아릴기 및 헤테로아릴기는 술폭시기, 아민기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환되거나 비치환될 수 있으며,알킬기, 알케닐기 및 알키닐기는 아민기, 사이오기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환되거나 비치환될 수 있고,Q2 내지 Q5는 각각 독립적으로, O, S, Se, Te 및 NR5으로 이루어진 군에서 선택된 하나이며,상기 R5은 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 화학식 4a 내지 4h에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 화학식 5a 내지 5e로 표시되는 치환기로 이루어진 군에서 선택된 하나인 고분자:[화학식 5a][화학식 5b][화학식 5c][화학식 5d][화학식 5e]화학식 5a 내지 5e에서, R6 내지 R10은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알키닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, N, O, S, Se, 및 Te로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 환원자로 가지고 환원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기, 시아노기, 할로겐기, 붕소기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 플루오레닐기, 카바졸기, 싸이오닐기 또는 실릴기이고,여기서, 아릴기 및 헤테로아릴기는 술폭시기, 아민기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환되거나 비치환될 수 있으며,알킬기, 알케닐기 및 알키닐기는 아민기, 사이오기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환되거나 비치환될 수 있고,Q6 내지 Q8는 각각 독립적으로, O, S, Se, Te 및 NR5으로 이루어진 군에서 선택된 하나이며,상기 R5은 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다
|
| 5 |
5
제2항에 있어서, 전자 받개 단량체 단위는 하기 화학식 6a 내지 6t로 표시되는 단량체 단위로 이루어진 군에서 선택된 하나인 고분자:[화학식 6a][화학식 6b][화학식 6c][화학식 6d][화학식 6e][화학식 6f][화학식 6g][화학식 6h][화학식 6i][화학식 6j][화학식 6k][화학식 6l][화학식 6m][화학식 6n][화학식 6o][화학식 6p][화학식 6q][화학식 6r][화학식 6s][화학식 6t]화학식 6a 내지 6t에서, R11 내지 R20은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알키닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, N, O, S, Se, 및 Te로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 환원자로 가지고 환원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기, 시아노기, 할로겐기, 붕소기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 플루오레닐기, 카바졸기, 싸이오닐기 또는 실릴기이고,여기서, 아릴기 및 헤테로아릴기는 술폭시기, 아민기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환되거나 비치환될 수 있으며,알킬기, 알케닐기 및 알키닐기는 아민기, 사이오기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환되거나 비치환될 수 있고,Q9 내지 Q12는 각각 독립적으로, O, S, Se, Te 및 NR5으로 이루어진 군에서 선택된 하나이며,상기 R5은 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 고분자는 수평균분자량이 10,000 내지 30,000 Da의 범위 내이거나 다분산지수(PDI)가 1
|
| 7 |
7
제2항에 있어서, 고분자는 수평균분자량이 20,000 내지 50,000 Da의 범위 내이거나 다분산지수(PDI)가 1
|
| 8 |
8
제2항에 있어서, 화학식 3a에서 m은 0
|
| 9 |
9
제2항에 있어서, 화학식 3b에서 m은 0
|
| 10 |
10
제2항에 있어서, 화학식 3b에서 m은 0
|
| 11 |
11
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 따른 고분자를 포함한 광활성층을 포함하는 유기태양전지
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 에너지 변환효율이 9% 이상인 유기태양전지
|
| 13 |
13
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 따른 고분자를 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 14 |
14
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 따른 고분자를 포함하는 전계효과 트랜지스터
|
| 15 |
15
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 따른 고분자를 포함하는 유기발광다이오드
|
