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순차 적층된 수광전극 및 광활성층을 포함하고,상기 수광전극과 광활성층 사이에 광 파장 변환층을 포함하며,상기 광 파장 변환층은 무기 반도체 화합물을 포함하고,상기 무기 반도체 화합물은 제1 파장의 광을 제2 파장의 광으로 변환하며,상기 제1 파장의 광은 250 nm 이상 450 nm 미만의 피크를 가지는 파장의 광이고,상기 제2 파장의 광은 550 nm 이상 850 nm 미만의 피크를 가지는 파장의 광이며,상기 광활성층은 전자 주개 물질과 전자 받개 물질이 혼합되어 있는 벌크-이종접합 구조를 기반으로 형성되고,상기 전자 주개 물질은 하기 화학식 7 내지 화학식 10로 표시되는 삼성분 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 태양전지:[화학식 7][화학식 8][화학식 9][화학식 10]상기 화학식 7 내지 화학식 10에서, n은 1 내지 10,000 사이의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 제2 파장의 광은 550 nm 이상 650 nm 미만의 피크를 가지는 파장의 광 및 650 nm 이상 850 nm 미만의 피크를 가지는 파장의 광인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 수광전극과 광활성층 사이에 전자수송층을 추가로 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광 파장 변환층은 전도성 고분자 및 금속 산화물로 이루는 군에서 적어도 하나 이상을 추가로 포함하는 태양전지
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제4항에 있어서,전도성 고분자는 하기 화학식 1로 나타내는 중합단위를 포함하고, 금속 산화물은 Zn, Ba Li 및 Ti로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상의 금속 산화물인 태양전지:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 하기 화학식 2로 나타내고,[화학식 2]상기 화학식 2에서, p는 0 내지 10 사이의 정수이고, 상기 화학식 M은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 나타내며,[화학식 2-1]상기 화학식 2-1에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 히드록시기 또는 설폰산기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 히드록시기 또는 설폰산기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알케닐기 및 히드록시기 또는 설폰산기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알키닐기로 이루어진 군에서 선택되고,[화학식 2-2]상기 화학식 2-2에서, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 히드록시기 또는 설폰산기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 히드록시기 또는 설폰산기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 히드록시기 또는 설폰산기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 10의 알키닐기로 이루어진 군에서 선택되며, 질소 양이온은 할로겐 이온과 결합 또는 결합하지 않고,상기 화학식 1에서, Ar은 단일결합; 또는 하기 화학식 3 내지 6으로 나타나는 단위구조; 중 하나이며,[화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6]상기 화학식 3에서, R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기로 이루어진 군에서 선택되고,상기 화학식 4에서, Q1은 산소원자 또는 황원자이며,상기 화학식 5에서, Q2는 산소원자 또는 황원자이다
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제1항에 있어서,광 파장 변환층은 수광전극의 표면으로부터 0
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제1항에 있어서,수광전극의 반대전극인 제2 전극을 추가로 포함하고,상기 수광전극과 제2 전극 사이에 광활성층을 포함하며,상기 광활성층과 제2 전극 사이에 상기 광 파장 변환층을 추가로 포함하는 태양전지
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8
순차 적층된 수광전극 및 광활성층을 포함하고,상기 수광전극과 광활성층 사이에 광 파장 변환층을 포함하며,상기 광 파장 변환층은 무기 반도체 화합물을 포함하고,상기 무기 반도체 화합물은 Ⅳ족 원소, Ⅱ-Ⅵ족 반도체 화합물, Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물 및 Ⅳ-Ⅳ족 반도체 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이며,상기 광활성층은 전자 주개 물질과 전자 받개 물질이 혼합되어 있는 벌크-이종접합 구조를 기반으로 형성되고,상기 전자 주개 물질은 하기 화학식 7 내지 화학식 10로 표시되는 삼성분 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 태양전지:[화학식 7][화학식 8][화학식 9][화학식 10]상기 화학식 7 내지 화학식 10에서, n은 1 내지 10,000 사이의 정수이다
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9
제8항에 있어서,무기 반도체 화합물은 양자점 형태의 반도체 화합물을 포함하는 태양전지
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10
제9항에 있어서,양자점 형태의 반도체 화합물은,탄소 양자점, 그래핀 양자점, 실리콘 양자점, 산화 아연 양자점, 산화 카드뮴 양자점, 황화 아연 양자점, 황화 카드뮴 양자점, 셀레늄화 아연 양자점, 셀레늄화 카드뮴 양자점, 텔루늄화 아연 양자점, 텔루늄화 카드뮴 양자점, 질화 갈륨 양자점, 인화 갈륨 양자점, 비소화 갈륨 양자점, 안티몬화 갈륨 양자점, 질화 인듐 양자점, 인화 인듐 양자점, 비소화 인듐 양자점, 안티몬화 인듐 양자점 및 탄화 실리콘 양자점으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 태양전지
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11
제8항에 있어서,광 파장 변환층에서 무기 반도체 화합물의 함량은 상온에서 1 내지 104 g/cm3인 태양전지
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12
제8항에 있어서,광 파장 변환층의 두께는 1 내지 300 nm 범위인 태양전지
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13
제8항에 있어서,수광전극의 반대전극인 제2 전극을 추가로 포함하고,상기 수광전극과 제2 전극 사이에 광활성층을 포함하며,상기 광활성층과 제2 전극 사이에 상기 광 파장 변환층을 추가로 포함하는 태양전지
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14
제1항 또는 제8항에 있어서,수광전극은 산화금속 박막으로 형성되며,상기 산화금속 박막은 ITO(인듐틴옥사이드)막, FTO(플루오르화틴옥사이드)막, IZO(인듐징크옥사이드)막, AZO(알루미늄도프드옥사이드)막, ZnO(징크옥사이드)막 및 IZTO(인듐징크틴옥사이드)막으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 형성된 태양전지
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15
삭제
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제1항에 있어서,전자 주개 물질과 상기 전자 받개 물질의 혼합 비(w/w)는 1:0
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제1항에 있어서,전자 받개 물질은 풀러렌 유도체 및 비풀러렌 유도체로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상을 포함하는 태양전지
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제11항에 있어서,전자 주개 물질은 PTB7(CAS No
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제1항 또는 제8항에 있어서,광활성 면적이 0
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