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오프그레이드 타이타늄(off-grade Ti) 스폰지의 산소를 제거하여 온그레이드타이타늄(on-grade Ti)의 금속 또는 금속화합물을 제조하는 탈산방법으로서,상기 오프그레이드 타이타늄(off-grade Ti) 스폰지를 수소(H2) 가스 분위기내에서 반응시켜 타이타늄 수소화물(TiHx)을 제조하는 단계;상기 타이타늄 수소화물(TiHx)을 마그네슘 및 용융염과 혼합하는 단계; 및상기 타이타늄 수소화물, 마그네슘 및 용융염 혼합체를 수소(H2) 가스, 또는아르곤(Ar) 및 수소(H2)의 혼합 가스 내에서 탈산반응하여 온그레이드 타이타늄(ongrade Ti)의 금속 또는 금속화합물을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 용융염은 염화마그네슘, 염화칼륨, 염화칼슘, 및 염화리튬으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이고,상기 타이타늄 수소화물(TiHx), 마그네슘 및 용융염의 함량비는 중량비로 1: 0
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제 1 항에 있어서,상기 오프그레이드 타이타늄(off-grade Ti)의 산소 농도는 0
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제 1 항에 있어서,상기 온그레이드 타이타늄(on-grade Ti)의 금속은 타이타늄 금속이고,온그레이드 타이타늄(on-grade Ti)의 금속화합물은 타이타늄 수소화물(TiHx)인 것을 특징으로 하는마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법
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제 1 항에 있어서,상기 온그레이드 타이타늄(on-grade Ti)의 금속은 타이타늄 금속이고,온그레이드 타이타늄(on-grade Ti)의 금속화합물은 타이타늄 수소화물(TiHx)이고, 상기 타이타늄 내 산소 농도는 0
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제 1 항에 있어서,상기 오프그레이드 타이타늄(off-grade Ti) 스폰지를 수소(H2) 가스 분위기내에서 반응시켜 제조한 상기 타이타늄 수소화물(TiHx)의 x는 1
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제 1 항에 있어서,상기 수소(H2)와 아르곤(Ar)의 혼합 가스의 혼합 비율은 몰비로 H2 : Ar = 5 : 95 내지 100 : 0 인 것을 특징으로 하는마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법
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제 1 항에 있어서,상기 탈산반응의 상기 수소(H2) 가스의 농도는 5 mol % 내지 20 mol%인 것을 특징으로 마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법
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제 1 항에 있어서,상기 마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법은상기 온그레이드 타이타늄(on-grade Ti)의 금속 또는 금속화합물을 염산 용액을 이용하여 산침출하여 잔류 용융염 및 탈산반응에서 형성된 산화마그네슘을 제거하는 산침출 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법
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제 10 항에 있어서,상기 염산 용액의 농도는 5 % 내지 20 % 인 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법
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제 10 항에 있어서,상기 산침출 단계의 침출 온도는 0 ℃ 내지 25 ℃ 인 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법
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제 10 항에 있어서,상기 마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법은 상기 산침출 단계 이후에 건조 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법
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제 1 항 내지 제 5 항, 제 8 항 내지 13 항 중 어느 한 항에 기재된 마그네슘을 이용한 오프그레이드 타이타늄 스폰지의 탈산법으로 형성된 온그레이드 타이타늄(on-grade Ti)의 금속 또는 금속화합물로 제조된 전자기기용 소재 원료
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