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RF 파워 기반의 플라즈마 처리를 이용한 용액공정형 다채널 IZO 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021012322
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다채널 IZO 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계, 상기 활성층에 대하여 산소 플라즈마 처리(oxygen plasma treatment) 공정을 수행하는 단계 및 상기 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 활성층을 형성하는 단계에서, 2 레이어(layers) 이상의 IZO(indium-zinc oxide) 박막이 연속하여 적층되도록 산화물 박막을 형성하고, 상기 산소 플라즈마 처리 공정을 수행하는 단계에서, RF 제너레이터와 매칭 박스를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시키고, RF 파워를 인가하는 방식으로 산소 플라즈마 처리 공정을 수행한다. 본 발명에 의하면, 산소 플라즈마 처리를 통해 용액 공정형 다채널 IZO 박막 트랜지스터 소자를 제조함으로써, 전기적 성능 특성을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210105038 (2021.08.10)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0101191 (2021.08.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2019-0073380 (2019.06.20)
관련 출원번호 1020190073380
심사청구여부/일자 Y (2021.08.10)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성진 경기도 안양시 만안구
2 김한상 충청북도 청주시 흥덕구
3 이재윤 충청북도 청주시 서원구
4 선비 충청북도 청주시 서원구
5 구홍보 충청북도 청주시 서원구
6 손호주 충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2021.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2021-0919672-78
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0694705-77
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번호 청구항
1 1
게이트 전극을 포함하는 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층에 대하여 산소 플라즈마 처리(oxygen plasma treatment) 공정을 수행하는 단계; 및상기 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 절연막을 형성하는 단계에서, 상기 기판 상에 SiO2를 성장시키는 방식으로 절연막을 형성하고, 상기 활성층을 형성하는 단계에서, IZO 박막을 형성하는 공정을 연속으로 3회 반복하여, 3개의 IZO 박막 레이어(layer)가 균일한 높이로 적층 되도록 형성하고, 상기 산소 플라즈마 처리 공정을 수행하는 단계에서, 산소 플라즈마를 발생시키고, 150W의 RF 파워를 인가하는 방식으로 산소 플라즈마 처리 공정을 수행하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서, 아르곤 가스(Ar gas)를 30 sccm을 주입하면서 공정 압력을 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 충북대학교산학협력단 정보통신방송혁신인재양성(R＆D) Grand ICT 연구센터(충북대)
2 교육부 충북대학교 산학협력단 사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업 사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업(5차)
3 교육부 충북대학교 산학협력단 이공분야 대학중점연구소지원사업 신재생 에너지를 활용한 자율주행용 데이터 네트워킹 AI 엔 진/부품 기술개발