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펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터

기술번호 : KST2021012350
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 최적의 공정 시간으로 산화물의 채널층 표면을 펨토초 레이저 표면처리하여, 균일도가 높고 평탄한 표면적 및 광학적 특성이 향상된 산화물 채널층을 제조할 수 있으며, 전하 이동도의 향상과 누설 전류가 개선되고, 단기간 전류 유지 안정성이 향상되어 전기적 및 환경적 안정성이 향상된 산화물 박막 트랜지스터를 제공하는 것에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/26 (2006.01.01) H01L 29/417 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) H01L 29/26(2013.01) H01L 29/41733(2013.01)
출원번호/일자	1020200059211 (2020.05.18)
출원인	충북대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-2299658-0000 (2021.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20210910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2020.05.18)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	충북대학교 산학협력단	대한민국	충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호	이름	주소
1	김성진	경기도 안양시 만안구
2	김한상	충청북도 청주시 흥덕구
3	이재윤	충청북도 청주시 서원구
4	선비	충청북도 청주시 서원구
5	구홍보	충청북도 청주시 서원구
6	손호주	충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 플러스	대한민국	대전광역시 서구 한밭대로 *번지 (둔산동, 사학연금회관) 층

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	충북대학교 산학협력단		충청북도 청주시 서원구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2020.05.18	수리 (Accepted)	1-1-2020-0499104-92
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149268-82
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2020.09.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2020.11.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2021-0044580-12
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2021.05.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0396203-57
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2021.07.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2021-0831072-53
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2021.07.19	수리 (Accepted)	1-1-2021-0831251-29
8	특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서	2021.08.09	수리 (Accepted)	4-1-2021-5213510-18
9	등록결정서 Decision to grant	2021.08.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0673571-19
10	[출원서 등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2021.09.01	수리 (Accepted)	1-1-2021-1009747-83

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서,절연막이 형성된 게이트 전극의 상기 절연막 상 산화물 채널층을 형성하는 산화물 채널층 형성 단계;상기 산화물 채널층을 열처리하는 열처리 단계;펨토초 레이저를 이용하여 상기 열처리된 산화물 채널층의 표면을 처리하는 펨토초 레이저 단계; 및상기 표면처리된 산화물 채널층과 접하되 서로 이격 대향하는 소스전극과 드레인 전극을 형성하는 소스/드레인 형성 단계;를 포함하고,상기 펨토초 레이저 단계는, 상기 산화물 채널층의 RMS(Root Mean Square)를 최소화 하도록, 펨토초 레이저가 90초 내지 110초 동안 조사되는펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
2	2 삭제
3	3 제 2항에 있어서,상기 펨토초 레이저 단계에서, 공급되는 전력은 2W 내지 4W인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
4	4 제 2항에 있어서, 상기 펨토초 레이저 단계는, 70MHz 내지 90MHz의 반복 주파수로 수행되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
5	5 제 2항에 있어서,상기 펨토초 레이저 단계는, 750nm 내지 850nm의 파장으로 수행되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
6	6 제 2항에 있어서,상기 펨토초 레이저 단계는, 130fs 내지 150 s의 펄스 폭으로 수행되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
7	7 제 1항에 있어서,상기 열처리 단계는,대기압에서, 250도 내지 350도의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
8	8 제 1항에 있어서,상기 산화물 채널층 형성 단계는 절연막 형성 단계를 더 포함할 수 있고,상기 절연막 형성 단계는, SPM 클리닝(Sulfuric acid hydrogen Peroxide Mixture solution Cleaning) 공정으로 상기 절연막을 클리닝하는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
9	9 제 1항 내지 8항 중 어느 한 항의 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	과학기술정보통신부	충북대학교 산학협력단	정보통신방송혁신인재양성(R＆D)	Grand ICT 연구센터(충북대)
2	교육부	충북대학교 산학협력단	사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업	사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업(5차)
3	교육부	충북대학교 산학협력단	이공분야 대학중점연구소지원사업	신재생 에너지를 활용한 자율주행용 데이터 네트워킹 AI 엔진/부품 기술개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-2299658-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20200518 출원 번호 : 1020200059211 공고 연월일 : 20210910 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20210825 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 29/66 발명의 명칭 : 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	168,500 원	2021년 09월 03일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2020.05.18	수리 (Accepted)	1-1-2020-0499104-92
2	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149268-82
3	선행기술조사의뢰서	2020.09.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2020.11.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2021-0044580-12
5	의견제출통지서	2021.05.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0396203-57
6	[명세서등 보정]보정서	2021.07.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2021-0831072-53
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2021.07.19	수리 (Accepted)	1-1-2021-0831251-29
8	특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서	2021.08.09	수리 (Accepted)	4-1-2021-5213510-18
9	등록결정서	2021.08.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0673571-19
10	[출원서 등 보정]보정서	2021.09.01	수리 (Accepted)	1-1-2021-1009747-83

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