| 1 |
1
박막 트랜지스터 제조방법에 있어서,절연막이 형성된 게이트 전극의 상기 절연막 상 산화물 채널층을 형성하는 산화물 채널층 형성 단계;상기 산화물 채널층을 열처리하는 열처리 단계;산소 플라즈마를 이용하여 상기 열처리된 산화물 채널층을 표면처리하는 산소 플라즈마 표면처리 단계; 및상기 표면처리된 산화물 채널층과 접하되 서로 이격 대향하는 소스전극과 드레인 전극을 형성하는 소스/드레인 형성 단계;를 포함하고,상기 산소 플라즈마 표면 처리 단계에서, 네거티브 바이어스 전압 스트레스(NBS)를 개선하고 보존 전류 안정성을 향상하고, 상기 산화물 채널층의 RMS(Root Mean Square)를 최소화 하도록, 공급되는 산소의 유량은 4sccm 내지 8sccm로 수행하는가스 유량에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 산소 플라즈마 표면처리 단계에서, 공급되는 전력은 110W 내지 130W인 것을 특징으로 하는 가스 유량에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 산소 플라즈마 표면처리 단계는, 2분 50초 내지 3분 10초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 유량에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 산소 플라즈마 표면처리 단계는, 3
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 열처리 단계는,대기압에서, 250도 내지 350도의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 가스 유량에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 산화물 채널층 형성 단계는 절연막 형성 단계를 더 포함할 수 있고,상기 절연막 형성 단계는, SPM 클리닝(Sulfuric acid hydrogen Peroxide Mixture solution Cleaning) 공정으로 상기 절연막을 클리닝하는 것을 특징으로 하는 가스 유량에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항 내지 6항 중 어느 한 항의 가스 유량에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터
|
