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잔류물 없이 그래핀을 전사하는 방법

  • 기술번호 : KST2021012441
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1기판에 형성된 그래핀을 제2기판으로 전사하는 그래핀을 전사하는 방법으로서: (a) 그래핀이 형성된 제1기판 상에 상기 그래핀을 덮도록 승화성 물질로 지지층을 형성하는 단계; (b) 상기 지지층 및 상기 그래핀으로 이루어진 층을 상기 제1기판으로부터 분리하는 단계; (c) 상기 지지층 및 상기 그래핀으로 이루어 층을 상기 그래핀이 제2기판에 향하도록 상기 제2기판으로 전사하는 단계; 및 (d) 상기 지지층을 승화시켜 상기 제2기판에서 제거하는 단계;를 포함하는 그래핀을 전사하는 방법에 관한 것입니다.
Int. CL C01B 32/194 (2017.01.01) C01B 32/184 (2017.01.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020200043839 (2020.04.10)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0126267 (2021.10.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.04.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이관형 서울특별시 관악구
2 김민정 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인임앤정 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0373554-03
2 보정요구서
Request for Amendment
2020.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0058432-79
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0407401-68
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0640655-02
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0094234-35
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0418558-55
9 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2021.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2021-0859091-65
10 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2021-0983374-12
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0983384-68
13 등록결정서
Decision to grant
2021.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0802588-77
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번호 청구항
1 1
제1기판에 형성된 그래핀을 제2기판으로 전사하는 그래핀을 전사하는 방법으로서:(a) 그래핀이 형성된 제1기판 상에 상기 그래핀을 덮도록 승화성 물질로 지지층을 형성하는 단계;(b) 상기 지지층 및 상기 그래핀으로 이루어진 층을 상기 제1기판으로부터 분리하는 단계; (c) 상기 지지층 및 상기 그래핀으로 이루어 층을 상기 그래핀이 제2기판에 향하도록 상기 제2기판으로 전사하는 단계; 및 (d) 상기 지지층을 승화시켜 상기 제2기판에서 제거하는 단계;를 포함하는 그래핀을 전사하는 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는 상기 지지층이 상기 제1기판 상에 형성된 후에 추가적으로 가열하여 상기 지지층의 재결정화하는 단계를 더 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 전사하는 방법,
3 3
제1항에 있어서,상기 승화성 물질은 상온 · 상압에서 승화되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 전사하는 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 승화성 물질은 씨클로도데케인또는 나프탈렌인 것을 특징으로 하는 그래핀을 전사하는 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 승화성 물질은 무기용매에 용해되거나 열을 가하여 액화된 것이며, 상기 승화성 물질을 스핀 코팅 또는 딥 코팅하여 상기 제1기판 상에 지지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 전사하는 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제1기판은 Cu, Ni, Pt, Re로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 전이금속기판이며, 상기 (b) 단계는 상기 제1기판을 에칭하여 전이금속을 제거함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 전사하는 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 (b) 단계를 수행한 후 증류수로 상기 지지층 및 상기 그래핀을 증류수에서 세척하는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 전사하는 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 (c) 단계를 수행한 후에 상기 제2기판을 진공챔버 내에 위치시켜 상기 제2기판과 상기 지지층 사이에 존재하는 증류수를 제거하는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 전사하는 방법
9 9
제1기판에 형성된 그래핀을 제2기판으로 전사하는 그래핀을 전사하는 방법으로 제조된 그래핀으로서: (a) 그래핀이 형성된 제1기판 상에 상기 그래핀을 덮도록 승화성 물질로 지지층을 형성하는 단계;(b) 상기 지지층 및 상기 그래핀으로 이루어진 층을 상기 제1기판으로부터 분리하는 단계; (c) 상기 지지층 및 상기 그래핀으로 이루어 층을 상기 그래핀이 제2기판에 향하도록 상기 제2기판으로 전사하는 단계; 및 (d) 상기 지지층을 승화시켜 상기 제2기판에서 제거하는 단계;를 포함하는 그래핀을 전사하는 방법에 의해 제조된 그래핀
10 10
제9항에 있어서,상기 제2기판 상에는 상기 제1기판의 잔존물과 상기 지지층의 잔존물이 없는 것을 특징으로 하는 그래핀
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 산업통상자원부 서울대학교 에너지기술개발 사업 2인치 웨이퍼 스케일 2D 나노소재 적층형 태양전지 기술 개발