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하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로서 표시되는 블록 코폴리머; 및하기 화학식 3으로서 표시되는 호모폴리머를 포함하는, 2 차원 폴리머 나노시트:[화학식 1] ;[화학식 2] ; [화학식 3];상기 화학식 1, 상기 화학식 2 및 상기 화학식 3에서,R1 내지 R3는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형의 C1-8 알킬기이며, R1 내지 R3 중 하나 이상이 치환되는 경우, -SiRaRbRc로 치환되며, Ra, Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 선형 또는 분지형의 C1-4 알킬기이고,m 및 o는, 각각 독립적으로, 20 내지 70의 정수이고, n 및 p는, 각각 독립적으로, 5 내지 70의 정수이고,q는 5 내지 70의 정수임
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제 1 항에 있어서,R1 및 R3는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, iso-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, sec-펜틸기, 3-펜틸기, iso-펜틸기, tert-펜틸기, neo-펜틸기, sec-이소펜틸기, 2-메틸부틸기, n-헥실기, sec-헥실기, 3-헥실기, iso-헥실기, tert-헥실기, sec-이소헥실기, 3-이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 3,3-다이메틸부틸기, 3-에틸부틸기, 2,2-다이메틸부틸기, n-헵틸기, iso-헵틸기, neo-헵틸기, tert-헵틸기, sec-헵틸기, n-옥틸기, iso-옥틸기, 또는 2-에틸헥실기인 것인, 2 차원 폴리머 나노시트
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3
제 1 항에 있어서,R2는, 치환 또는 비치환된, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, sec-펜틸기, 3-펜틸기, iso-펜틸기, tert-펜틸기, neo-펜틸기, sec-이소펜틸기, 2-메틸부틸기, n-헥실기, sec-헥실기, 3-헥실기, iso-헥실기, tert-헥실기, sec-이소헥실기, 3-이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 3,3-다이메틸부틸기, 3-에틸부틸기, 또는 2,2-다이메틸부틸기인 것인, 2 차원 폴리머 나노시트
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4
제 1 항에 있어서,상기 -SiRaRbRc는 -SiMe3, -SiEt3, -SiPr3, -SiBu3, -SiEtMe2, -SiEt2Me, -SiMe2Pr, -SiMePr2, -SiBuMe2, -SiBu2Me, -SiEt2Pr, -SiEtPr2, -SiBuEt2, -SiBu2Et, -SiBuPr2, 또는 -SiBu2Pr인 것인, 2 차원 폴리머 나노시트
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제 1 항에 있어서,상기 2 차원 폴리머 나노시트의 폭(100)은 100 nm 내지 10 μm인 것인, 2 차원 폴리머 나노시트
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6
제 1 항에 있어서,상기 2 차원 폴리머 나노시트의 길이(010)는 500 nm 내지 20 μm인 것인, 2 차원 폴리머 나노시트
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7
제 1 항에 있어서,상기 2 차원 폴리머 나노시트의 높이는 1 nm 내지 500 nm인 것인, 2 차원 폴리머 나노시트
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8
제 1 항에 있어서,상기 2 차원 폴리머 나노시트는 전도성 및/또는 형광성을 갖는, 2 차원 폴리머 나노시트
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(a) 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로서 표시되는 블록 코폴리머 및 하기 화학식 3으로서 표시되는 호모폴리머를 혼합하여 2 차원 씨드를 수득하고; 및(b) 상기 2 차원 씨드에 하기 화학식 3으로서 표시되는 호모폴리머를 포함하는 유니머를 첨가하여 2 차원 폴리머 나노시트를 수득하는 것을 포함하는, 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법:[화학식 1] ;[화학식 2] ; [화학식 3];상기 화학식 1, 상기 화학식 2 및 상기 화학식 3에서,R1 내지 R3는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형의 C1-8 알킬기이며, R1 내지 R3 중 하나 이상이 치환되는 경우, -SiRaRbRc로 치환되며, Ra, Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 선형 또는 분지형의 C1-4 알킬기이고,m 및 o는, 각각 독립적으로, 20 내지 70의 정수이고, n 및 p는, 각각 독립적으로, 5 내지 70의 정수이고,q는 5 내지 70의 정수임
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10
제 9 항에 있어서,(a)에서, 상기 2 차원 씨드는 상기 블록 코폴리머와 상기 호모폴리머의 공동-조립(co-assembly)에 의해 형성되는 것인, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, (b)에서, 상기 2 차원 폴리머 나노시트는 씨드-성장에 의해 형성되는 것인, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 씨드-성장은 1차 반응인 것인, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,(a)는 제 1 용매 존재 하에서 수행되며, (a)에서, 상기 제 1 용매와 상이한 제 2 용매를 첨가하여 상기 2 차원 씨드의 폭을 조절하는 것인, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 제 1 용매는 클로로포름, 다이클로로메탄, 및 테트라하이드로퓨란에서 선택되는 하나 이상이며,상기 제 2 용매는 메틸 클로라이드, 다이클로로메탄, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 톨루엔, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 및 오쏘-다이클로로벤젠서 선택되는 하나 이상인 것인, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,(b)에서, 상기 유니머 대 상기 씨드의 질량비에 따라 상기 2 차원 폴리머 나노시트의 길이를 조절하는 것인, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,(b)에서, 첨가되는 상기 유니머의 중합도에 따라 상기 2 차원 폴리머 나노시트의 높이를 조절하는 것인, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,2 가지 이상의 중합도가 서로 상이한 상기 유니머를 첨가하여 블록 코미셸을 형성하는 것인, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,(a) 및/또는 (b)에 가열 단계 및/또는 숙성 단계를 추가 포함하는, 2 차원 폴리머 나노시트의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 2 차원 폴리머 나노시트를 포함하는, 디바이스
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제 19 항에 있어서,상기 디바이스는 트랜지스터, 센서, 이미징 에이전트, 발광 다이오드, 광전지, 또는 전도성 디스플레이인 것인, 디바이스
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