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1
제 1 노드와 연결된 입력단을 구비한 회로; 및저전력 모드에서 상기 제 1 노드의 전압을 고정하는 제 1 신호 제어 회로;를 포함하되,상기 제 1 신호 제어 회로는 n번째 저전력 모드와 m번째 저전력 모드에서 상기 제 1 노드의 전압을 서로 다르게 설정하는 반도체 장치(n, m은 서로 다른 자연수)
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청구항 1에 있어서, 상기 저전력 모드를 표시하는 저전력 신호에 따라 상기 제 1 신호 제어 회로를 제어하는 저전력 제어 회로를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 저전력 제어 회로는 저전력 모드가 아닌 경우 상기 제 1 노드가 상기 제 1 신호 제어 회로와 분리되도록 제어하는 반도체 장치
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4
청구항 3에 있어서, 상기 제 1 신호 제어 회로는 게이트에 상기 저전력 제어 회로에서 인가되는 제 11 저전력 신호가 인가되고 소스에 전원 전압이 인가되며 드레인이 상기 제 1 노드에 연결되는 제 1 PMOS 트랜지스터; 및게이트에 상기 저전력 제어 회로에서 인가되는 제 12 저전력 신호가 인가되고 소스에 접지 전압이 인가되며 드레인이 상기 제 1 노드에 연결되는 제 1 NMOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 노드에 제 1 입력 신호를 제공하는 제 1 스위치를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 노드에 제 1 입력 신호를 제공하는 제 1 커패시터를 더 포함하는 반도체 장치
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7
청구항 1에 있어서, 상기 회로는 상기 제 1 노드와 연결된 인버터를 포함하는 반도체 장치
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8
청구항 7에 있어서, 저전력 모드가 아닌 경우 상기 인버터의 입력단과 출력단 사이에 연결되는 저항을 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 저전력 신호는 파워 다운 신호 또는 리프레시 제어 신호인 반도체 장치
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10
제 1 노드와 연결된 입력단과 제 2 노드와 연결된 입력단을 구비한 회로;저전력 모드에서 상기 제 1 노드의 전압을 고정하는 제 1 신호 제어 회로; 및저전력 모드에서 상기 제 2 노드의 전압을 고정하는 제 2 신호 제어 회로를 포함하되,상기 제 1 신호 제어 회로는 n번째 저전력 모드와 m번째 저전력 모드에서 상기 제 1 노드의 전압을 서로 다르게 설정하고,상기 제 2 신호 제어 회로는 i번째 저전력 모드와 j번째 저전력 모드에서 상기 제 2 노드의 전압을 서로 다르게 설정하는 반도체 장치(n, m, i, j는 서로 다른 자연수)
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11
청구항 10에 있어서, 상기 저전력 모드를 표시하는 저전력 신호에 따라 상기 제 1 신호 제어 회로 및 상기 제 2 신호 제어 회로를 제어하는 저전력 제어 회로를 더 포함하는 반도체 장치
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12
청구항 11에 있어서, 상기 저전력 제어 회로는 저전력 모드가 아닌 경우 상기 제 1 노드가 상기 제 1 신호 제어 회로와 분리되도록 제어하고 상기 제 2 노드가 상기 제 2 신호 제어 회로와 분리되도록 제어하는 반도체 장치
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13
청구항 12에 있어서, 상기 제 1 신호 제어 회로는 게이트에 상기 저전력 제어 회로에서 인가되는 제 11 저전력 신호가 인가되고 소스에 전원 전압이 인가되며 드레인이 상기 제 1 노드에 연결되는 제 1 PMOS 트랜지스터; 및게이트에 상기 저전력 제어 회로에서 인가되는 제 12 저전력 신호가 인가되고 소스에 접지 전압이 인가되며 드레인이 상기 제 1 노드에 연결되는 제 1 NMOS 트랜지스터;를 포함하고,상기 제 2 신호 제어 회로는 게이트에 상기 저전력 제어 회로에서 인가되는 제 21 저전력 신호가 인가되고 소스에 전원 전압이 인가되며 드레인이 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 PMOS 트랜지스터; 및게이트에 상기 저전력 제어 회로에서 인가되는 제 22 저전력 신호가 인가되고 소스에 접지 전압이 인가되며 드레인이 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 NMOS 트랜지스터;를 포함하는 반도체 장치
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14
청구항 10에 있어서, 상기 회로는 상기 제 1 노드와 제 3 노드 사이에 연결된 인버터와 상기 제 2 노드와 제 4 노드 사이에 연결된 인버터를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 14에 있어서, 상기 회로는 상기 제 3 노드와 제 4 노드 사이에 연결된 크로스-커플드 래치를 더 포함하는 반도체 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 저전력 신호는 파워 다운 신호 또는 리프레시 제어 신호인 반도체 장치
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