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입력 신호를 입력 받는 입력 트랜지스터(M3, M4); 고주파 클럭 생성을 위한 복수의 인덕터(L1, L2, L3 및 L4); 및 생성된 고주파 클럭을 출력하기 위한 출력 트랜지스터(M1, M2)를 포함하고, 복수의 인덕터는 고주파 클럭 생성을 위해 온칩 인덕터를 결합하여 단일 분산형 인덕터로 레이아웃되는 저전력 고속 ILFM((Injection-Locked Frequency Multipliers)
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제1항에 있어서,복수의 인덕터는, 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)는 제1 메탈 레이어에 레이아웃되고, 제3 인덕터(L3) 및 제4 인덕터(L4)는 제2 메탈 레이어에 레이아웃되는 저전력 고속 ILFM
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제1항에 있어서,복수의 인덕터는, 칩 면적을 감소시키고 인접한 인덕터들 간의 긴 금속 라우팅 와이어를 제거하기 위해 단일 분산형 인덕터로 레이아웃되는저전력 고속 ILFM
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제1항에 있어서,복수의 인덕터는 고주파 클럭 생성을 위해 온칩 인덕터를 결합하여 단일 분산형 인덕터로 레이아웃되어, 신호 커플링의 효율성을 증가시키고 신호 저하를 방지하며 활성 회로에 대칭 임피던스를 제공하는 저전력 고속 ILFM
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제1항에 있어서,저전력 고속 ILFM은, NTV(Near-Threshold Voltage) 작동 영역에서 작동함으로써 전력 소비량을 감소시키는 저전력 고속 ILFM
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제1항에 있어서,단일 분산형 인덕터로 레이아웃되는 복수의 인덕터의 크기를 스케일링함으로써 고주파 클럭을 생성하는 저전력 고속 ILFM
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