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진동 센서 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021012576
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 스페이서 격벽, 상기 스페이서 격벽 상에 형성된 제 1 기판, 및 상기 제 1 기판 상에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 제 1 기판 및/또는 상기 상부 전극은 수직으로 진동 가능하도록 키리가미 형상으로 패턴화된 것인, 진동 센서에 관한 것이다.
Int. CL G01H 11/06 (2006.01.01) G01H 13/00 (2006.01.01)
CPC G01H 11/06(2013.01) G01H 13/00(2013.01)
출원번호/일자 1020200046423 (2020.04.17)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0128602 (2021.10.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.04.17)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선국 경기도 수원시 장안구
2 스리니바스 간들라 경기도 수원시 장안구
3 백승호 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0395472-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.12.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0118117-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0516588-91
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2021-0979671-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0979675-00
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번호 청구항
1 1
스페이서 격벽; 상기 스페이서 격벽 상에 형성된 제 1 기판; 상기 제 1 기판의 하부에 배치된 하부 전극; 및상기 제 1 기판의 상단에 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 제 1 기판 및/또는 상기 상부 전극은 수직으로 진동 가능하도록 키리가미 형상으로 패턴화된 것인,진동 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 키리가미 형상의 패턴은 전도성을 가지는 것인, 진동 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 키리가미 형상의 패턴의 진동에 의해 상기 상부 전극과 상기 제 1 기판 사이, 상기 제 1 기판과 상기 하부 전극 사이, 또는 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에서 발생하는 공진 주파수의 변형을 측정하는 것인, 진동 센서
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 제 1 기판에 형성되거나, 또는 상기 제 1 기판의 하부에 이격되어 배치된 것인, 진동 센서
5 5
제 1 항에 있어서,상기 키리가미 형상의 패턴 상에 금속이 증착된 것인, 진동 센서
6 6
제 1 항에 있어서,상기 스페이서 격벽의 높이는 1 mm 내지 100 mm 인, 진동 센서의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 스페이서 격벽의 하부에 배치된 제 2 기판을 추가 포함하는 것인, 진동 센서
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 기판, 상기 스페이서 격벽, 및 상기 제 2 기판은 각각 독립적으로 PI(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PDMS(polydimethylsulfone), 실리콘 고무(silicone rubber), PEN (Polyethylene Naphthalate), PP(polypropylene), PES(polyethersulfone), PVC(polyvinylchloride), Au, Ti, Si, SiO2, Al2O3, Si3N4, AlN, Pt, Ag, Ni, Fe, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 진동 센서
9 9
제 1 항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 각각 독립적으로 유리질 탄소(glassy carbon), Al, Au, Pt, Ag, Fe, Ru, Rh, Ti, Cr, Co, Nb, Zr, W, Cu, 이들의 탄화물, 이들의 산화물, 이들의 질화물, 전도성 폴리머, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 진동 센서의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 전도성 폴리머는 폴리 플루오렌(polyfluorene), 폴리 페닐렌(polyphenylene), 폴리 피렌(polypyrene), 폴리 아즐렌(polyazulene), 폴리 나프탈렌(polynaphthalene), 폴리 아세틸렌(polyacetylene), 폴리 페닐렌비닐렌(Poly(p-phenylene vinylene)), 폴리 피롤(polypyrrole), 폴리 카르바졸(polycarbazole), 폴리 인돌(polyindole), 폴리 아제핀(polyazepine), 폴리 아닐린(polyaniline), 폴리 티오펜(polythiophene), 폴리 (3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 폴리 페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide)), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 진동 센서의 제조 방법
11 11
스페이서 격벽 상에 제 1 기판을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판의 하부에 하부 전극을 배치하는 단계; 및상기 제 1 기판의 상단에 상부 전극을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 기판을 형성하는 단계는 상기 제 1 기판을 수직으로 진동 가능하도록 키리가미 형상으로 패터닝하는 단계를 포함하는 것인,진동 센서의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 상부 전극을 패터닝하는 단계를 추가 포함하는 것인, 진동 센서의 제조 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 제 1 기판을 패터닝하는 단계에 의해 상기 제 1 기판은 전도성을 가지는 것인, 진동 센서의 제조 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 제 1 기판을 형성하는 단계는 상기 키리가미 형상으로 패터닝하는 단계를 수행한 후 상기 키리가미 형상의 패턴 상에 금속을 증착하는 단계를 추가 포함하는 것인, 진동 센서의 제조 방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 스페이서 격벽의 하부에 제 2 기판을 배치하는 단계를 추가 포함하는 것인, 진동 센서의 제조 방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 패터닝하는 단계는 레이저 처리, 화학적 식각, 물리적 식각, 리소그래피(lithography), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것에 의해 수행되는 것인, 진동 센서의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 레이저는 UV 레이저 처리, CO2 레이저 처리, 루비 레이저 처리, Nd:YAG 레이저 처리, Ar 레이저 처리, He-Ne 레이저 처리, Ti:사파이어 레이저 처리, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 진동 센서의 제조 방법
18 18
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 진동 센서를 포함하는, 전자 기기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 2020년도 중견연구(총연구비3억초과~5억이하) 3/3 오감증강형 2차원 나노센서 시스템 개발
2 지방자치 성균관대학교 산학협력단 경기도 지역협력연구센터(GRRC)사업 3/6 유연소재기반 나노 바이오 센서 개발
3 산업통상자원부 전자부품연구원 소재부품산업미래성장동력사업 3/4 생체신호의 초감도 감지를 위한 저차원 소재기반 플렉시블/웨어러블 전자소자 개발