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주변 대기 온도에 감응하는 복사 냉각 디바이스로서,주변 대기의 온도에 대한 상기 복사 냉각 디바이스의 온도의 상대적 높낮이에 따라 적외선 영역의 각도별 방사율 스펙트럼이 변화하는 것인,복사 냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 복사 냉각 디바이스는 외부 환경 변화에 따라 실시간으로 각도별 방사율 스펙트럼이 변화하는 것인, 복사 냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,지표면과 나란히 배치된 상기 복사 냉각 디바이스는, 상기 각도별 방사율 스펙트럼이 하기 식 1로 표현되고, 지표면과 나란히 배치되지 않은 상기 복사 냉각 디바이스는, 상기 각도별 방사율 스펙트럼이 하기 식 2로 표현되는 것인, 복사 냉각 디바이스:[식 1]ε(λ,Ω,T; Ωsun,Tamb,α) = 0
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제 1 항에 있어서,상기 복사 냉각 디바이스의 온도가 주변 대기의 온도 이상인 경우, 지표면과 나란히 배치된 상기 복사 냉각 디바이스는, 4 μm 파장 이상의 적외선을 지표면에서 수직한 축을 기준으로 0° 내지 90°의 각도 영역으로 방사하고,지표면과 나란히 배치되지 않은 상기 복사 냉각 디바이스는, 4 μm 파장 이상의 적외선을 지표면에서 수직한 축을 기준으로 0° 내지 180°의 각도 영역으로 방사하는 것인, 복사 냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 복사 냉각 디바이스의 온도가 주변 대기의 온도 미만인 경우, 상기 복사 냉각 디바이스는, 배치에 관계없이 8 μm 내지 13 μm의 파장의 적외선을 지표면에서 수직한 축을 기준으로 0° 내지 60°의 각도 영역으로 방사하는 것인, 복사 냉각 디바이스
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제 5 항에 있어서,상기 복사 냉각 디바이스는, 배치에 관계없이 10 μm 내지 12 μm의 파장의 적외선을 지표면에서 수직한 축을 기준으로 0° 내지 60°의 각도 영역으로 방사하여 상기 복사 냉각 디바이스의 온도가 주변 대기의 온도의 5℃ 이상 냉각되는 것인, 복사 냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 각도별 방사율 스펙트럼의 변화는, 주변 대기 온도에 따른 상기 복사 냉각 디바이스의 구성 물질의 굴절률 변화, 상변화에 의한 굴절률의 변화, 또는 상기 둘 모두로 인해 구현되는 것인, 복사 냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 복사 냉각 디바이스는 다층 박막, 나노 패턴, 분산된 나노입자를 포함하는 고분자층 및 메타 물질 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 복사 냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 복사 냉각 디바이스는 전체 또는 일부에, 주변 대기 온도에 따라 굴절률이 변화하는 제 1 물질; 주변 대기 온도에 따라 상변화로 인해 굴절률이 변화하는 제 2 물질; 또는 상기 둘 모두를 포함하는 것인, 복사 냉각 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 복사 냉각 디바이스는 전체 또는 일부에, 도핑된 이산화 바나듐(VO2); 도핑 또는 도핑되지 않은 VxOy (x는 2 내지 4, Y는 2 내지 10의 정수); 파라핀; 및 파라핀 계열의 유기 또는 무기 상변화 물질(PCM) 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인, 복사 냉각 디바이스
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제 1 항에 따른 복사 냉각 디바이스를 이용한, 물체의 냉각 방법
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제 11 항에 있어서,상기 물체의 표면에 상기 복사 냉각 디바이스를 위치시키는 것을 포함하는, 물체의 냉각 방법
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