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입도를 제어하기 위한 고체전해질의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021012649
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a) 란타늄(La) 전구체, 지르코늄(Zr) 전구체 및 갈륨(Ga) 전구체를 포함하는 금속 전구체 수용액과, 착화제와, pH 조절제가 혼합된 혼합 용액을 테일러 와류 상태에서 0.5 내지 5시간 동안 공침 반응시켜 고체 전해질 전구체 슬러리를 제조하는 단계; (b) 상기 고체 전해질 전구체 슬러리를 세척하고 건조하여 고체 전해질 전구체를 제조하는 단계; (c) 상기 고체 전해질 전구체를 리튬 소스와 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; (d) 상기 혼합물을 열처리하여 아래 화학식 1로 표시되는 갈륨(Ga)이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO) 고체전해질을 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 갈륨(Ga)이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(LLZO) 고체전해질의 입도(d50)가 0.5 내지 5㎛인 것인, 고체 전해질의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 고체전해질의 제조방법은 공침 반응시간을 조절함으로써, 고체전해질의 입도를 보다 작게 제어할 수 있는 효과가 있다. [화학식 1] Li7-3xGaxLa3Zr2O12 (0.1≤ x ≤0.4)
Int. CL H01M 10/0562 (2010.01.01) C01G 25/00 (2006.01.01) H01B 1/08 (2006.01.01)
CPC H01M 10/0562(2013.01) C01G 25/006(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01M 2300/0071(2013.01) C01P 2004/62(2013.01) C01P 2004/61(2013.01) C01P 2006/40(2013.01)
출원번호/일자 1020200048661 (2020.04.22)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0130449 (2021.11.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.04.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호성 제주특별자치도 제주시
2 김민영 광주 광산구
3 박상준 광주광역시 북구
4 송영웅 광주광역시 북구 군
5 전세현 광주광역시 서구
6 임진섭 서울특별시 강북구
7 홍영선 제주특별자치도 제주시
8 김형찬 제주특별자치도

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0414275-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0191430-86
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0823855-00
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번호 청구항
1 1
(a) 란타늄(La) 전구체, 지르코늄(Zr) 전구체 및 갈륨(Ga) 전구체를 포함하는 금속 전구체 수용액과, 착화제와, pH 조절제가 혼합된 혼합 용액을 테일러 와류 상태에서 0
2 2
제1항에 있어서,상기 고체전해질의 제조방법이상기 단계 (d) 이후에,상기 갈륨이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물 고체전해질을 분쇄하는 단계 (e);를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 갈륨이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물 고체전해질의 입도(d50)가 1 내지 4㎛인 것을 특징으로 하는 고체 전해질의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,단계 (a)가 쿠에트 테일러 와류 반응기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고체 전해질의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,단계 (a)의 상기 공침 반응이 1 내지 2
6 6
제2항에 있어서,단계 (e)에서,상기 분쇄가 유성 볼밀 공정 또는 막자 사발 분쇄 공정으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 수행되는 것을 특징으로 하는 고체 전해질의 제조방법
7 7
2항에 있어서,단계 (e)에서,상기 분쇄가 1분 내지 3시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고체 전해질의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,단계 (e)에서상기 분쇄가 20분 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고체 전해질의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,단계 (d)가 상기 혼합물을 600 내지 1,000℃에서 하소(calcination)하여 갈륨이 도핑된 리튬 란타늄 지르코늄 산화물 고체전해질을 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 고체 전해질의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 하소가 700 내지 1,000℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 란타늄 전구체가 란타늄 질산염(La(NO3)3) 또는 그의 수화물인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 지르코늄 전구체가 지르코늄 염산염(ZrOCl2) 또는 그의 수화물인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 갈륨 전구체가 갈륨 질산염(Ga(NO3)3) 또는 그의 수화물인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 착화제가 수산화암모늄(NH4·OH)인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 pH 조절제가 수산화나트륨(NaOH)인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 pH 조절제를 사용하여 상기 혼합 용액의 pH를 10 내지 12로 조절하는 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
17 17
제1항에 있어서,상기 리튬 소스가 수산화리튬(LiOH) 또는 그의 수화물인 것을 특징으로 하는 고체전해질의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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