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(a) Ti 분말 및 용융염을 포함하는 혼합물을 형성하는 단계;(b) 상기 혼합물에 유전체 기판을 잠기게 하는 단계; 및(c) 상기 혼합물을 가열하여 상기 유전체 기판의 표면에 Ti 함유층을 형성하는 단계;를 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 용융염은 염화물 및 불화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 염화물로는 NaCl, KCl, LiCl 및 CaCl2, BaCl2로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 불화물로는 NaF, KF, MgF2, CaF2 및 BaF2로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유전체 기판은 질화물을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 질화물은 AlN, Si3N4 및 BN 중 어느 하나를 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,(d) 상기 (a) 내지 (c) 반응이 완료된 반응물을, 염을 용해할 수 있는 용매에 접촉시켜 잔존하는 염을 제거하는 단계; 를 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (d) 단계 이후에,(e) 상기 Ti 함유층 상에 무전해도금층을 형성하는 단계; (f) 상기 무전해도금층 상에 전해도금층을 형성하는 단계; 및(g) 상기 무전해도금층 및 전해도금층을 패터닝하여 상기 유전체 상에 금속 패턴을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 (d) 단계 이후에,(h) 상기 Ti 함유층 상에 전해도금층을 형성하는 단계; 및 (i) 상기 전해도금층을 패터닝하여 상기 유전체 상에 금속 패턴을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 무전해도금층은 Cu, Ni, Co, Au, Pd 또는 이들의 합금을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 전해도금층은, Cu, Ni, Fe, Co, Cr, Zn, Au, Ag, Pt, Pd, Rh 또는 이들의 합금을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계 이후에 적어도 한번의 열처리가 수행되는 단계를 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 (e) 단계 이후 상기 (f) 단계 이전에 열처리가 수행되는 단계 또는 (f) 단계 이후 (g) 단계 이전에 열처리가 수행되는 단계를 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (h) 단계 이후 (i) 단계 이전에 열처리가 수행되는 단계를 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 금속 패턴을 형성하는 단계 이후에 열처리가 수행되는 단계를 더 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 전해도금층은 Fe-Ni 합금층 또는 Ni-Cr 합금층을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 Fe-Ni 합금층은 INVAR 합금을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 Ni-Cr 합금층은 니크롬 합금을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 전해도금층은 Fe, Ni 및 Co 중 어느 하나 이상으로 이루어지는 연자성 박막을 포함하는, 회로 기판의 제조 방법
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