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불소계 양이온 교환 수지 또는 탄화수소계 음이온 교환 수지를 포함하는 다공성 층; 및불소계 양이온 교환 수지 또는 탄화수소계 음이온 교환 수지를 포함하는 조밀 층; 을 포함하고,상기 다공성 층은 기공을 포함하는, 수전해 장치용 비대칭 전해질막
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제1항에 있어서,상기 다공성 층의 기공 크기는 0
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제1항에 있어서,상기 다공성 층의 공극률은 60 내지 80% 인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막
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제1항에 있어서, 상기 조밀 층은 기공을 포함하지 않거나, 이온만 통과할 수 있는 것인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막
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제1항에 있어서,상기 불소계 양이온 교환 수지는 나피온(Nafion), 푸마펨(Fumapem), 플레미온(Flemion), 아시플렉스(Aciplex) 및 아퀴비온(Aquivion)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상이고, 상기 탄화수소계 음이온 교환 수지는 페닐렌(Phenylene)계, PBI (폴리벤지미다졸)계, PES (폴리아릴렌에테르 술폰)계, PPO(폴리페닐렌옥사이드)계, PS 폴리스타이렌계 및 그의 블렌딩(Blending)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막
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제1항에 있어서,상기 수전해 장치용 비대칭 전해질막은 산, 과산화수소 및 염기로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상으로 처리된 것인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막
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제1항에 있어서,상기 수전해 장치용 비대칭 전해질막은 PEM 수전해 장치용인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막
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제1항에 있어서,상기 수전해 장치용 비대칭 전해질막은 AEM 수전해 장치용인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막
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애노드;캐소드; 및 상기 애노드 및 캐소드 사이에 위치하는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 수전해 장치용 비대칭 전해질막;을 포함하는 수전해 장치용 막 전극 접합체
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제9항에 있어서,상기 다공성 층 상에 애노드가 구비되고,상기 조밀 층 상에 캐소드가 구비되는, 수전해 장치용 막 전극 접합체
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제9항에 있어서,상기 애노드는 귀금속 기반 단일 산화물, 귀금속 기반 복합 산화물 및 전이금속으로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,상기 캐소드는 귀금속 기반의 탄소 지지체 및 전이금속 중 하나 이상을 포함하는 수전해 장치용 막 전극 접합체
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제9항의 수전해 장치용 막 전극 접합체를 포함하는 수전해 장치
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제1항에 따른 수전해 장치용 비대칭 전해질막의 제조방법으로서, 기판 상에 불소계 양이온 교환 수지 또는 탄화수소계 음이온 교환 수지, 용매 및 비용매를 포함하는 캐스팅 용액을 도포하는 단계;캐스팅된 막에서 용매를 제거하는 단계; 및상기 용매가 제거된 막에서 비용매를 제거하는 단계;를 포함하는 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제조방법은 PEM 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법이고,상기 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이며,상기 비용매는 오쏘-디클로로벤젠 (ortho-dichlorobenzene), 메타-디클로로벤젠 (meta-dichlorobenzene), 파라-디클로로벤젠 (para-dichlorobenzene), 나프탈렌 및 알파-나프톨로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제조방법은 AEM 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법이고,상기 용매는 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아미드, 다이메틸 설폭사이드 및 메틸피롤리돈으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이며,상기 비용매는 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐피로리돈, 스테아릴알코올, 콩 기름 및 글리세롤 및 디부틸 프탈레이트로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법
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제13항에 있어서,상기 비용매를 제거하는 단계 이후, 상기 막을 산, 과산화수소 및 염기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 처리하는 단계;를 더 포함하는, 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법
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제1항에 따른 수전해 장치용 비대칭 전해질막의 제조방법으로서, 기판 상에 탄화수소계 음이온 교환 수지 및 용매를 포함하는 제1 캐스팅 용액을 도포하는 단계;상기 캐스팅된 막에서 용매를 제거하여 조밀 층을 형성하는 단계;상기 조밀 층 상에 탄화수소계 음이온 교환 수지 및 용매를 포함하는 제2 캐스팅 용액을 도포하는 단계; 및상기 제2 캐스팅 용액이 도포된 막을 비용매에 침지시켜 다공성 층을 형성하는 단계;를 포함하는, 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법
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제17항에 있어서,상기 제조방법은 AEM 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법이고,상기 용매는 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아미드, 다이메틸 설폭사이드 및 메틸피롤리돈으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이며,상기 비용매는 물, 알코올, 폴리바이닐피롤리돈, 폴리에틸렌글리콜 및 글리세롤로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 수전해 장치용 비대칭 전해질막 제조방법
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수전해 장치용 막 전극 접합체 제조방법으로서,제13항 또는 제17항에 따른 제조방법에 의하여 수전해 장치용 비대칭 전해질막을 제조하는 단계;상기 수전해 장치용 비대칭 전해질막의 다공성 층 상에 애노드를 형성하는 단계; 및 상기 수전해 장치용 비대칭 전해질막의 조밀 층 상에 캐소드를 형성하는 단계;를 포함하는 수전해 장치용 막 전극 접합체 제조방법
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제16항에 있어서,상기 애노드를 형성하는 단계 및 캐소드를 형성하는 단계는 각각 스프레이 도포에 의하여 수행되는, 수전해 장치용 막 전극 접합체 제조방법
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