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저역 통과 필터를 포함하는 베이스밴드 처리 장치

  • 기술번호 : KST2021012878
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직접 변환 쿼드러처 레이더에 이용되는 저역 통과 필터를 포함한 베이스밴드 처리 장치에 관한 것으로, 베이스밴드 처리 장치는 제 1 바이어스 제어부, 제 1 이득 제어부, 제 1 저역 통과 필터 제어부 및 제 1 아날로그 디지털 변환기를 포함하는 제 1 처리부, 제 2 바이어스 제어부, 제 2 이득 제어부, 제 2 저역 통과 필터 제어부 및 제 2 아날로그 디지털 변환기를 포함하는 제 2 처리부 및 상기 제 1 아날로그 디지털 변환기 및 상기 제 2 아날로그 디지털 변환기에 연결된 제어기를 포함하되, 상기 제 1 저역 통과 필터 제어부는 제 1 고속 충전부, 제 1 디지털 가변 저항, 제 1트랜지스터 스위치 제어기 및 복수의 어드레서블 차지 셀(addressable charge cell)들을 포함하고, 상기 제 2 저역 통과 필터 제어부는 제 2 고속 충전부, 제 2 디지털 가변 저항, 제 2 트랜지스터 스위치 제어기 및 복수의 어드레서블 차지 셀들을 포함하고, 상기 제 1 고속 충전부는 적어도 하나의 스위치, 적어도 하나의 트랜지스터 스위치, 적어도 하나의 하나의 커패시터 및 적어도 두 개의 저항을 포함하고, 상기 제 2 고속 충전부는 적어도 하나의 스위치, 적어도 하나의 트랜지스터 스위치, 적어도 하나의 하나의 커패시터 및 적어도 두 개의 저항을 포함하고, 상기 제 1 저역 통과 필터 제어부에 포함된 상기 복수의 어드레서블 차지 셀들 및 상기 제 2 저역 통과 필터 제어부에 포함된 상기 복수의 어드레서블 차지 셀들은 각각 하나의 트랜지스터 스위치 및 하나의 커패시터를 포함한다.
Int. CL H04L 25/06 (2006.01.01) H04L 25/02 (2006.01.01) G01S 13/02 (2006.01.01)
CPC H04L 25/061(2013.01) H04L 25/0266(2013.01) G01S 13/0209(2013.01)
출원번호/일자 1020200053685 (2020.05.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0135708 (2021.11.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김유진 대전시 유성구
2 김동규 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0456103-05
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번호 청구항
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제 1 바이어스 제어부, 제 1 이득 제어부, 제 1 저역 통과 필터 제어부 및 제 1 아날로그 디지털 변환기를 포함하는 제 1 처리부;제 2 바이어스 제어부, 제 2 이득 제어부, 제 2 저역 통과 필터 제어부 및 제 2 아날로그 디지털 변환기를 포함하는 제 2 처리부; 및상기 제 1 아날로그 디지털 변환기 및 상기 제 2 아날로그 디지털 변환기에 연결된 제어기를 포함하되,상기 제 1 저역 통과 필터 제어부는 제 1 고속 충전부, 제 1 디지털 가변 저항, 제 1 트랜지스터 스위치 제어기 및 복수의 어드레서블 차지 셀(addressable charge cell)들을 포함하고,상기 제 2 저역 통과 필터 제어부는 제 2 고속 충전부, 제 2 디지털 가변 저항, 제 2 트랜지스터 스위치 제어기 및 복수의 어드레서블 차지 셀들을 포함하고,상기 제 1 고속 충전부는 적어도 하나의 스위치, 적어도 하나의 트랜지스터 스위치, 적어도 하나의 하나의 커패시터 및 적어도 두 개의 저항을 포함하고,상기 제 2 고속 충전부는 적어도 하나의 스위치, 적어도 하나의 트랜지스터 스위치, 적어도 하나의 하나의 커패시터 및 적어도 두 개의 저항을 포함하고,상기 제 1 저역 통과 필터 제어부에 포함된 상기 복수의 어드레서블 차지 셀들 및 상기 제 2 저역 통과 필터 제어부에 포함된 상기 복수의 어드레서블 차지 셀들은 각각 하나의 트랜지스터 스위치 및 하나의 커패시터를 포함하는 베이스밴드 처리 장치
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