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제 1 전극 상에 형성된 페로브스카이트 결정립(grain)을 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 결정립 사이의 경계(boundary)는 비정질 금속 산화물을 포함하는 것인,저항 변화 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 결정립 사이의 경계에 의해 할라이드 이온이 결정립들 사이를 통과하지 못하는 것인,저항 변화 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 비정질 금속 산화물은 하기 화학식 1 로 표시되는 것인, 저항 변화 메모리 소자:[화학식 1] (식 중, M 은 Zr, Ti, Al, Si, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, C, Zn, Ga, In, Ge, 또는 Sn 이고, n 은 1 내지 25 임)
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제 1 항에 있어서,상기 저항 변화층 상에 형성된 고분자 보호층을 추가 포함하는, 저항 변화 메모리 소자
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제 4 항에 있어서,상기 고분자 보호층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리디메틸실록산, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플로로프로필렌, 폴리에틸렌이민, 폴리페닐렌 테레프탈아미드, 폴리메톡시 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리 2-메톡시 에틸글리시딜에테르, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 이온 전도성 고분자를 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 결정립을 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 2 또는 화학식 3 으로서 표시되는 것인, 저항 변화 메모리 소자:[화학식 2]RMX3(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X 는 할라이드 음이온을 포함하는 것임);[화학식 3]R2MX4(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X 는 할라이드 음이온을 포함하는 것임)
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 각각 독립적으로 금속, 전도성 고분자, 탄소물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극은 서로 동일하거나 상이한 전극 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자
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기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 페로브스카이트 결정립계를 가지는 유기 금속 할라이드를 포함하는 저항 변화층을 형성하는 단계; 및상기 저항 변화층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 저항 변화층을 형성하는 단계는 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드 및 금속 알콕사이드를 용매 상에 용해시킨 용액을 상기 제 1 전극 상에 코팅하여 수행되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 알콕사이드는 하기 화학식 4 로서 표시되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법:[화학식4] M-(OR')m(상기 M 은 Zr, Ti, Al, Si, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, C, Zn, Ga, In, Ge, 또는 Sn 이고,상기 m은 상기 M의 원자가이며,상기 R'은 수소, C1-7 의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기임)
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제 10 항에 있어서,상기 용매는 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, N-메틸-2-피리딘, 피리딘, 아닐린, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 저항 변화층 상에 고분자 보호층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 페로브스카이트 결정 구조를 가지는 유기 금속 할라이드는 하기 화학식 5 또는 화학식 6 으로서 표시되는 것인, 저항 변화 메모리 소자의 제조 방법:[화학식 5]RMX3(상기 R은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고,상기 X는 할라이드 음이온을 포함하는 것임);[화학식 6]R2MX4(상기 R 은 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고, 상기 X는 할라이드 음이온을 포함하는 것임)
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 저항 변화 메모리 소자를 포함하는, 멤리스터
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